電路圖識別之磁珠和電感的區別篇
可能一些新的朋友在剛看維修***技術資料時或電路圖時常會看到磁珠這個詞，可在網上粗略一查，好像他和電感差不多，其實則不然下面我就說一下他們之間的區別：
磁珠的作用要從其結構來著手分析，磁珠的結構可以看成乙個電阻和電感的串接（許多人容易把它和電感混淆，它和電感的區別就在於多了電阻的分量）。其作用主要是在高頻率下利用電感成分反射雜訊，利用電阻成分把噪音轉換成熱量，由此達到抑制雜訊的作用。使用方法比較簡單，直接插入訊號線、電源線中就可以通過吸收、反射來實現抑制雜訊和執行emc對策的功能。
電感的作用:儲能、濾波、阻抗、扼流、諧振和變壓的作用。
電阻器識別電阻
電阻，用符號r表示。其最基本的作用就是阻礙電流的流動。衡量電阻器的兩個最基本的引數是阻值和功率。
阻值用來表示電阻器對電流阻礙作用的大小，用歐姆表示。除基本單位外，還有千歐和兆歐。功率用來表示電阻器所能承受的最大電流，用瓦特表示，有1/16w，1/8w，1/4w，1/2w，1w，2w等多種，超過這一最大值，電阻器就會燒壞。
根據電阻器的製作材料不同，有水泥電阻（製作成本低，功率大，熱雜訊大，阻值不夠精確，工作不穩定），碳膜電阻，金屬膜電阻（體積小，工作穩定，雜訊小，精度高）以及金屬氧化膜電阻等等。根據其阻值是否可變可分為微調電阻，可調電阻，電位器等。可調電阻（電位器）電路符號如下：
電阻在標記它的值的方法是用色環標記法。它的識別方法如下：
色別第一位色環
（電阻值的第一位） 第二位色環
（電阻值的第二位） 第三位色環
（乘10的倍數） 第四位色環
（表誤差） 棕1
110--紅 2 2 100 --
橙 3 3 1000 --
黃 4 4 10000 --
綠 5 5 100000 --
藍 6 6 1000000 --
紫 7 7 10000000 --
灰 8 8 100000000 --
白 9 9 1000000000 --
黑 0 0 1 --
金 -- -- 0.1 +-0.05
銀 -- -- 0.01 +-0.1
無色0.2
電容，用符號c表示。電容有儲存電荷的作用，由於它的這個特性，決定了它有通交流阻直流，通高頻阻低頻的作用。因此常用作隔直，濾波，耦合。
電容器的兩個最基本的指標是容量和擊穿電壓。容量顯示電容器的儲存能力，有法拉（f）和微法（十的負六次方法拉）、皮法（十的負十二次方法拉）等計量單位。由於電容簡單來說就是兩個相互絕緣的導體，所以當電壓公升高到一定程度時，會擊穿這層絕緣。
這個極限電壓就是電容器的耐壓值。電容器按有無極性可分為有極性電容和無極性電容兩種，在一般情況下，有極性電容的正負極不可接反。按製作材料分，電容器有鋁電解電容（成本低，容量大，耐熱性差，穩定性差）、鉭電解電容（成本高，精度高，體積小，漏電小）、磁片電容、聚炳稀電容、紙質電容以及金屬膜電容等多種。
按容量是否可變分為固定電容和可調電容。無極性電容和有極性電容以及可調電容電路符號分別如下：
電感器，通俗的說就是線圈。它的基本的性質是通直流，阻交流，與電容器的性質恰恰相反。衡量電感器的最基本指標是電感量。
以亨利（h）為單位，還有毫亨，微亨等。電感器可分為磁芯電感（電感量大，常用在濾波電路）和空心電感（電感量小，常用於高頻電路）兩種。磁芯電感的電路符號分別如右：
電晶體：最常用的有三極體和二極體兩種。它對訊號有放大作用。
三極體以符號bg（舊）或（t）表示，二極體以d表示。按製作材料分，電晶體可分為鍺管和矽管兩種。按極性分，三極體有pnp和npn兩種，而二極體有p型和n型之分。
多數國產管用***表示，其中每一位都有特定含義：如 3 a x 31，第一位3代表三極體，2代表二極體。第二位代表材料和極性。
a代表pnp型鍺材料；b代表npn型鍺材料；c為pnp型矽材料；d為npn型矽材料。第三位表示用途，其中x代表低頻小功率管；d代表低頻大功率管；g代表高頻小功率管；a代表高頻大功率管。最後面的數字是產品的序號，序號不同，各種指標略有差異。
注意，二極體同三極體第二位意義基本相同，而第三位則含義不同。對於二極體來說，第三位的p代表檢波管；w代表穩壓管；z代表整流管。上面舉的例子，具體來說就是pnp型鍺材料低頻小功率管。
對於進口的三極體來說，就各有不同，要在實際使用過程中注意積累資料。常用的進口管有南韓的90xx、80xx系列，歐洲的2sx系列，在該系列中，第三位含義同國產管的第三位基本相同。
半導體電晶體的三種放大電路原理如下：
1、————共基極放大電路。它的特點是輸入阻抗低，輸出阻抗高，電流放大倍數小於1，不易與前級匹配。
2、————共發射極放大電路。它的特點是電流放大倍數較大，功率放大倍數更大，但在強訊號是失真較大。
3、————共集電極放大電路。它的特點是輸入阻抗高，輸出阻抗低，常用於阻抗匹配電路，增益最小。
現在應用最多的莫過於積體電路，符號ic（integered circuit）。從小規模積體電路一直到大規模、超大規模乃至生物積體電路發展。它恐怕是電子元器件中種類最多的。
其命名方法依廠家的不同而千差萬別，兩塊功能和外形完全相同的積體電路由兩個廠家生產出來，其型號差異極大。積體電路的特點就是內部元器件密集，可以大大減小裝置的體積和增加裝置的可*性和易維護性。缺點就是散熱問題不好解決，出了故障不易檢查。
要知道某一積體電路的
電容的基礎知識
電容的基礎知識常用電容按介質區分有紙介電容、油浸紙介電容、金屬化紙介電容、雲母電容、薄膜電容、陶瓷電容、電解電容等。
電容的外形
電容器上標有的電容數是電容器的標稱容量。電容器的標稱容量和它的實際容量會有誤差。常用固定電容允許誤差的等級見表2。常用固定電容的標稱容量系列見表3。
電容長期可靠地工作，它能承受的最大直流電壓，就是電容的耐壓，也叫做電容的直流工作電壓。如果在交流電路中，要注意所加的交流電壓最大值不能超過電容的直流工作電壓值。
表4是常用固定電容直流工作電壓系列。有*的數值，只限電解電容用。
由於電容兩極之間的介質不是絕對的絕緣體，它的電阻不是無限大，而是乙個有限的數值，一般在1000兆歐以上。電容兩極之間的電阻叫做絕緣電阻，或者叫做漏電電阻。漏電電阻越小，漏電越嚴重。
電容漏電會引起能量損耗，這種損耗不僅影響電容的壽命，而且會影響電路的工作。因此，漏電電阻越大越好。
電容的種類也很多，為了區別開來，也常用幾個拉丁字母來表示電容的類別，如圖2所示。第乙個字母c表示電容，第二個字母表示介質材料，第三個字母以後表示形狀、結構等。上面的是小型紙介電容，下面的是立式矩開密封紙介電容。
表5列出電容的類別和符號。表6是常用電容的幾項特性。
基礎知識之上下拉電阻:
1、當ttl電路驅動coms電路時，如果ttl電路輸出的高電平低於coms電路的最低高電平（一般為3.5v）， 這時就需要在ttl的輸出端接上拉電阻，以提高輸出高電平的值。
2、oc閘電路必須加上拉電阻，以提高輸出的高電平值。
3、為加大輸出引腳的驅動能力，有的微控制器管腳上也常使用上拉電阻。
4、在coms晶元上，為了防止靜電造成損壞，不用的管腳不能懸空，一般接上拉電阻產生降低輸入阻抗， 提供洩荷通路。
5、晶元的管腳加上拉電阻來提高輸出電平，從而提高晶元輸入訊號的雜訊容限增強抗干擾能力。
6、提高匯流排的抗電磁干擾能力。管腳懸空就比較容易接受外界的電磁干擾。
7、長線傳輸中電阻不匹配容易引起反射波干擾，加上下拉電阻是電阻匹配，有效的抑制反射波干擾。
現代計算機使用的數字邏輯電路都是用高低電平來代表數值0和1，使用時鐘發生器產生時序訊號來將電平訊號劃分為乙個乙個的數值。至於用高電平代表1、低電平代表0還是用高電平代表0、低電平代表1，就要看電路設計時的定義了。不過一般來說都是用高電平代表1、低電平代表0。
你看電路圖上訊號引腳名稱上有跟橫線的就表示低電平有效，其它的都是高電平有效。
常用的邏輯電平
·邏輯電平：有ttl、cmos、lvttl、ecl、pecl、gtl；rs232、rs422、lvds等。
·其中ttl和cmos的邏輯電平按典型電壓可分為四類：5v系列（5v ttl和5v cmos）、3.3v系列，2.5v系列和1.8v系列。
·5v ttl和5v cmos邏輯電平是通用的邏輯電平。
·3.3v及以下的邏輯電平被稱為低電壓邏輯電平，常用的為lvttl電平。
·低電壓的邏輯電平還有2.5v和1.8v兩種。
1，ttl電平：
輸出高電平》2.4v,輸出低電平<0.4v。
在室溫下，一般輸出高電平是3.5v，輸出低電平是0.2v。
最小輸入高電平和低電平：輸入高電平》=2.0v，輸入低電平<=0.
8v，雜訊容限是0.4v。
2，cmos電平：
1邏輯電平電壓接近於電源電壓，0邏輯電平接近於0v。而且具有很寬的雜訊容限。
3，電平轉換電路：
因為ttl和coms的高低電平的值不一樣（ttl 5v<＝＝>cmos 3.3v），所以互相連線時需要電平的轉換：就是用兩個電阻對電平分壓。
4，oc門，即集電極開路閘電路，od門，即漏極開路閘電路，必須外界上拉電阻和電源才能將開關電平作為高低電平用。否則它一般只作為開關大電壓和大電流負載，所以又叫做驅動閘電路。
5，ttl和coms電路比較：
1）ttl電路是電流控制器件，而coms電路是電壓控制器件。
2）ttl電路的速度快，傳輸延遲時間短(5-10ns)，但是功耗大。
coms電路的速度慢，傳輸延遲時間長(25-50ns),但功耗低。
coms電路本身的功耗與輸入訊號的脈衝頻率有關，頻率越高，晶元集越熱，這是正常現象。
6. 計算機序列介面採用rs232標準：規定邏輯1的電平為-3~-15v，邏輯0的電平為+3~+15v。
7.還有......
電路圖中vcc和vdd的解釋
vcc和vdd是器件的電源端。vcc是雙極器件的正，vdd多半是單級器件的正。下標可以理解為npn電晶體的集電極c，和pmos or nmos場效電晶體的漏極d。
同樣你可在電路圖中看見vee和vss，含義一樣。因為主流晶元結構是矽npn所以vcc通常是正。如果用pnp結構vcc就為負了。
薦義選用晶元時一定要看清電氣引數。
vcc **於集電極電源電壓, collector voltage, 一般用於雙極型電晶體, pnp 管時為負電源電壓, 有時也標成 -vcc, npn 管時為正電壓.
vdd **於漏極電源電壓, drain voltage, 用於 mos 電晶體電路, 一般指正電源. 因為很少單獨用 pmos 電晶體, 所以在 cmos 電路中 vdd 經常接在 pmos 管的源極上.
vss 源極電源電壓, 在 cmos 電路中指負電源, 在單電源時指零伏或接地.
vee 發射極電源電壓, emitter voltage, 一般用於 ecl 電路的負電源電壓.
vbb 基極電源電壓, 用於雙極電晶體的共基電路.
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