專案安排
王鵬首先，專案擬建規模要視預期情況，本建議以a-si + -si試驗研發樣板線為例。
閔行研發實驗廠房現在要做的是：輔助的外圍設施的搭建和規劃工作，其具體工作有以下幾個方面：
環氧地坪，迴圈水，強電（櫃），壓縮空氣機組，空調無塵間，特氣間包括（氮氣）和其他管道以及氣體源處，裝置端氣路櫃。
其中這些工作要做要大概乙個技術團隊（大概要10人左右）和部分安裝工人（15人）
環氧地坪肯定要請專業的地坪**商做，要做3層，一般從預期開始調研大概要1周時間，真正定下來後，以我們的實驗性廠房（近1000平方）大概也要一周時間，大概預期規化的資金要分兩種：一種是普通的（60-70元每平），另一種是防靜電的（大概要120元以上每平）在部分關鍵場地是必須做防靜電的，例如pecvd系統車間等核心的車間，這個時間段我們只要負責監工（2個人就好），不需要大量的人力，物力，只要嚴格把關，要求供用商有合格的資質證書和檢驗報告。
迴圈水，整個非晶矽系統對水質，壓力的要求比較高(入水，回水設計，壓力要求根據裝置而定)。當然以後也要有專門的工程師負責這方面。水質一般是經過雜質的嚴格控制。
壓力小於2.5×105pa一般是具有（純水）迴圈冷卻水，水溫小於25℃，流量要求達到12公升/分鐘，及回水通道設計，都要滿足實驗的要求。具體的去離子水質要求是:
電阻值﹥2mω,部分裝置可以使用一般軟水水質。
強電進入車間的容量大小300kw一般就可以了，功能主要是產線上各裝置系統加熱，幫浦組，尾氣處理等大功率用電，其中對裝置用線的用線選型，位置的安排（根據裝置而定）這一部分也要專門的工程師（兩個）負責。前期規劃要以pecvd為中心搭建各種備用介面。還有備用機動電源，保證在急停電情況，無閃斷的切換，保證pecvd機組的正常工作，這部分以我們技術人員為主，配給幾個電工（5人），就沒有太大問題，所有的裝置供電大概要15工作日。
壓縮空氣機組，空調無塵間可以一起進行。
壓縮空氣在非晶矽要求也很高，一般的氣動閥門和動力元件多數要無油的壓縮空氣，要不汙染很嚴重的，壓力為3-5個大氣壓，壓縮空氣的濕度，溫度都要控制，壓縮無油螺桿式機組和管道要專業的公司做，以便以後的機組維護，在進行人員的安排方面，我們公司要配合幾個工人做配合就好，為了以後的維護做準備，空調無塵間潔淨度要十萬級的就好，不要太高，但也要專業的公司來做，這塊不需要專業太高人來維護。時間上20天就可以完成。
特氣間的設計要求很高，防爆的設計，管道的布局，危險的氣體報警，換特氣瓶的職業操守，及環境的要求，它是屬於非常重要的外圍設施，必須有專門的技術人員負責，設計階段要起碼3個裝置工程師，2個工藝師，施工階段，有要專門的技術人員負責，其中在氣路有個別的截止閥，手動閥用進口件比較可靠，所以必須有技術人員專門指導安裝，因為它的可靠性要求特別高。要求有普通氮氣，壓強要在2～3個大氣壓之間
材料齊全情況下施工的時間起碼乙個月才能完成。
操作人員：戴口罩、手套和穿潔淨服
非晶矽微晶矽薄膜太陽能電池要大量的準備工作，
（注意：租賃的廠房對其施工，可能要開發區**的審批，手續很多，時間的限制，所以公司要有專門的公關人員，希望時間不要浪費在施工的審批上）
閔行研發實驗廠房具體要做的實驗性裝置裝備規劃工作
其具體工作有以下幾個方面：我本人可能從事以下設計工作。
由於沒有設計用軟體，現在先做個技術方案。
系統裝置總體設計技術方案（6個月）
真空腔體容積（圓腔體48片）粗算大於8m，腔室要做到盡量小，溫度均勻性要嚴格控制，腔內盡量簡單，減少干擾；
鎧裝加熱方式：溫度： 250℃，要求室溫-----400℃連續可調；
cvd反應室極限真空：約為1.0×10-5pa，
氣壓自動控制，控制壓力的蝶閥和薄膜計採用美國mks公司產品，量程分別為2torr和10torr；
vhf電源48片（5wm每年計算）（滿足從10mhz～100mhz連續可調，進口件）12臺用於沉積室；rf電源12臺（13.56mhz）。
真空室各種介面連線形式：反應室大介面採用無氧銅墊圈或銀絲金屬鑲嵌密封，小介面採用無氧銅墊圈密封，雙開門採用氟橡膠圈密封（或用鉑金屬片和石棉密封），以保證真空度的要求，避免雜質汙染；
真空腔體採用方型結構（可選擇圓形），
真空室元件及配備零部件全部採用304不鏽鋼材料製造，氬弧焊接，表面噴玻璃丸處理。
反應室採用銀絲等金屬或氟橡膠圈密封。
反應室內置平行平板型等離子體發生裝置的電極工件箱，
真空效能，極限真空：
cvd反應室的極限真空優於1.0×10-4pa；真空漏率小於
排氣效能：cvd反應室開始抽氣30分鐘後，真空度優於1.0×10-4 pa。
靜態壓公升效能：cvd反應室公升壓率小於10pa/h。
主抽幫浦組：採用多個3500公升每秒分子幫浦(進口)+600至1000公升每秒機械幫浦(進口幹幫浦)。
工作旁抽管道：設定角閥連線機械幫浦+進口系統壓力apc（美國mks流量控制閥）閉環系統。
氣體輸運控制氣路為9條。
所有氣路中的質量流量計、氣動截止閥、管路、接頭均採用國外進口產品；
反應室用具有尾氣高溫與水噴淋雙重處理零排放功能。
一套氣體櫃，強電櫃，自控櫃，射頻電源櫃。
工件電極盒的設計（3個月不計算加工）
樣品大小（不鏽鋼襯底或塑料襯底，玻璃襯底）：1100mm×1400mm；
pecvd兩個電極間的距離待定
噴淋式進氣方式，即採用上進氣結構；
樣品放置在上電極上（氣流在電極間的分布勻流）；
電源線在反應室內遮蔽良好，從下電極板中心饋入；陰極和陽極之間盡量不要有其它（支架）金屬干擾輝光。
pecvd系統要我們公司自主研發，包過電極工件箱的設計和開發，可以借鑑別的公司的意見，
2.磁控濺射系統的主要組成（8個月搭建加除錯）
磁控濺射系統用於生長zno，al,ag薄膜生長研究；
pvd反應室本底真空：5.0×10-5pa。
pvd反應室的極限真空優於5.0×10-4pa；真空漏率小於
pvd反應室開始抽氣50分鐘後，真空度優於5.0×10-4 pa
pvd反應室公升壓率小於5 pa/h。
氣體匯入系統：本室有h2、n2等氣體匯入
磁懸浮的傳導系統
其主要的幫浦組也是進口
預熱爐，冷卻爐，老化爐的可以進一步分別做設計方案。
王鵬2009-7-6
提高薄膜太陽能電池的效率
降低矽太陽能電池成本的方法之一是儘量減少高質量矽材料的使用量，如薄膜太陽能電池。不過這種太陽能電池的效率只達到了約11 12 研究人員們正在尋求提公升其效率的方法。最近取得突破的技術有通過乾法絨面優化上表面的結構和在外延層 襯底介面處插入乙個中間多孔矽反射鏡。採用這兩種方式可將太陽能電池的效率提公升...
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簡介非晶矽薄膜太陽能電池是一種以非晶矽化合物為基本組成的薄膜太陽能電池。按照材料的不同，當前矽太陽能電池可分為三類 單晶矽太陽能電池 多晶矽薄膜太陽能電池和非晶矽薄膜太陽能電池三種。由於反應溫度低，可在200 左右的溫度下製造，因此可以在玻璃 不鏽鋼板 陶瓷板 柔性塑料片上澱積薄膜，易於大面積化生產...
10薄膜矽整合型太陽能電池
公開番號 特開2009 177210 43 公開日 平成 年 月 日 54 発明 名稱 薄膜 積層型太陽電池 製造方法 發明名稱薄膜矽積層型太陽能電池的製造方法 氏名又 名稱 三菱重工業株式會社 住所又 居所 東京都港區港南二丁目 番 號 詳細 說明 発明 詳細 說明 技術分野 技術領域 0001 ...