一、用指標式萬用表對場效電晶體進行判別
（1）用測電阻法判別結型場效電晶體的電極
根據場效電晶體的pn結正、反向電阻值不一樣的現象，可以判別出結型場效電晶體的三個電極。具體方法：將萬用表撥在r×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。
當某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極d和源極s。因為對結型場效電晶體而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極ｇ。也可以將萬用表的黑錶筆（紅錶筆也行）任意接觸乙個電極，另乙隻錶筆依次去接觸其餘的兩個電極，測其電阻值。
當出現兩次測得的電阻值近似相等時，則黑錶筆所接觸的電極為柵極，其餘兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大，說明是ｐｎ結的反向，即都是反向電阻，可以判定是ｎ溝道場效電晶體，且黑錶筆接的是柵極；若兩次測出的電阻值均很小，說明是正向ｐｎ結，即是正向電阻，判定為ｐ溝道場效電晶體，黑錶筆接的也是柵極。若不出現上述情況，可以調換黑、紅錶筆按上述方法進行測試，直到判別出柵極為止。
（2）用測電阻法判別場效電晶體的好壞
測電阻法是用萬用表測量場效電晶體的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極ｇ1與柵極ｇ2之間的電阻值同場效電晶體手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置於ｒ×１０或ｒ×100檔，測量源極ｓ與漏極ｄ之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐範圍（在手冊中可知，各種不同型號的管，其電阻值是各不相同的），如果測得阻值大於正常值，可能是由於內部接觸不良；如果測得阻值是無窮大，可能是內部斷極。
然後把萬用表置於ｒ×１０ｋ檔，再測柵極ｇ1與ｇ2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當測得其各項電阻值均為無窮大，則說明管是正常的；若測得上述各阻值太小或為通路，則說明管是壞的。要注意，若兩個柵極在管內斷極，可用元件代換法進行檢測。
（3）用感應訊號輸人法估測場效電晶體的放大能力
具體方法：用萬用表電阻的r×100檔，紅錶筆接源極ｓ，黑錶筆接漏極ｄ，給場效電晶體加上1.5ｖ的電源電壓，此時表針指示出的漏源極間的電阻值。
然後用手捏住結型場效電晶體的柵極ｇ，將人體的感應電壓訊號加到柵極上。這樣，由於管的放大作用，漏源電壓vds和漏極電流iｂ都要發生變化，也就是漏源極間電阻發生了變化，由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極表針擺動較小，說明管的放大能力較差；表針擺動較大，表明管的放大能力大；若表針不動，說明管是壞的。
根據上述方法，我們用萬用表的r×100檔，測結型場效電晶體3dj2f。先將管的ｇ極開路，測得漏源電阻rds為600ω，用手捏住ｇ極後，表針向左擺動，指示的電阻rds為12kω，表針擺動的幅度較大，說明該管是好的，並有較大的放大能力。
運用這種方法時要說明幾點：首先，在測試場效電晶體用手捏住柵極時，萬用表針可能向右擺動（電阻值減小），也可能向左擺動（電阻值增加）。這是由於人體感應的交流電壓較高，而不同的場效電晶體用電阻檔測量時的工作點可能不同（或者工作在飽和區或者在不飽和區）所致，試驗表明，多數管的rds增大，即表針向左擺動；少數管的rds減小，使表針向右擺動。
但無論表針擺動方向如何，只要表針擺動幅度較大，就說明管有較大的放大能力。第二，此方法對mos場效電晶體也適用。但要注意，mos場效電晶體的輸人電阻高，柵極ｇ允許的感應電壓不應過高，所以不要直接用手去捏柵極，必須用於握螺絲刀的絕緣柄，用金屬桿去碰觸柵極，以防止人體感應電荷直接加到柵極，引起柵極擊穿。
第三，每次測量完畢，應當g-s極間短路一下。這是因為g-s結電容上會充有少量電荷，建立起ｖgｓ電壓，造成再進行測量時表針可能不動，只有將g-s極間電荷短路放掉才行。
（4）用測電阻法判別無標誌的場效電晶體
首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳，也就是源極ｓ和漏極ｄ，餘下兩個腳為第一柵極g1和第二柵極g2。把先用兩錶筆測的源極ｓ與漏極ｄ之間的電阻值記下來，對調錶筆再測量一次，把其測得電阻值記下來，兩次測得阻值較大的一次，黑錶筆所接的電極為漏極ｄ；紅錶筆所接的為源極ｓ。用這種方法判別出來的ｓ、ｄ極，還可以用估測其管的放大能力的方法進行驗證，即放大能力大的黑錶筆所接的是ｄ極；紅錶筆所接地是８極，兩種方法檢測結果均應一樣。
當確定了漏極ｄ、源極ｓ的位置後，按ｄ、ｓ的對應位置裝人電路，一般g1、g2也會依次對準位置，這就確定了兩個柵極g1、g2的位置，從而就確定了ｄ、s、g1、g2管腳的順序。
（5）用測反向電阻值的變化判斷跨導的大小
對ｖｍｏｓ ｎ溝道增強型場效電晶體測量跨導效能時，可用紅錶筆接源極ｓ、黑錶筆接漏極ｄ，這就相當於在源、漏極之間加了乙個反向電壓。此時柵極是開路的，管的反向電阻值是很不穩定的。將萬用表的歐姆檔選在r×10kω的高阻檔，此時表內電壓較高。
當用手接觸柵極ｇ時，會發現管的反向電阻值有明顯地變化，其變化越大，說明管的跨導值越高；如果被測管的跨導很小，用此法測時，反向阻值變化不大。
二、.場效電晶體的使用注意事項
（1）為了安全使用場效電晶體，**路的設計中不能超過管的耗散功率，最大漏源電壓、最大柵源電壓和最大電流等引數的極限值。
（2）各型別場效電晶體在使用時，都要嚴格按要求的偏置接人電路中，要遵守場效電晶體偏置的極性。如結型場效電晶體柵源漏之間是ｐｎ結，ｎ溝道管柵極不能加正偏壓；ｐ溝道管柵極不能加負偏壓，等等。
（3）mos場效電晶體由於輸人阻抗極高，所以在運輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬遮蔽包裝，以防止外來感應電勢將柵極擊穿。尤其要注意，不能將mos場效電晶體放人塑料盒子內，儲存時最好放在金屬盒內，同時也要注意管的防潮。
（4）為了防止場效電晶體柵極感應擊穿，要求一切測試儀器、工作台、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態，焊接完後才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時，應以適當的方式確保人體接地如採用接地環等；當然，如果能採用先進的氣熱型電烙鐵，焊接場效電晶體是比較方便的，並且確保安全；在未關斷電源時，絕對不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效電晶體時必須注意。
（5）在安裝場效電晶體時，注意安裝的位置要盡量避免靠近發熱元件；為了防管件振動，有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在彎曲時，應當大於根部尺寸５公釐處進行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。
對於功率型場效電晶體，要有良好的散熱條件。因為功率型場效電晶體在高負荷條件下運用，必須設計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值，使器件長期穩定可靠地工作。
總之，確保場效電晶體安全使用，要注意的事項是多種多樣，採取的安全措施也是各種各樣，廣大的專業技術人員，特別是廣大的電子愛好者，都要根據自己的實際情況出發，採取切實可行的辦法，安全有效地用好場效電晶體。
三.vmos場效電晶體
vmos場效電晶體（vmosfet）簡稱vmos管或功率場效電晶體，其全稱為v型槽mos場效電晶體。它是繼mosfet之後新發展起來的高效、功率開關器件。它不僅繼承了mos場效電晶體輸入阻抗高（≥108w）、驅動電流小（0.
1μa左右），還具有耐壓高（最高1200v）、工作電流大（1.5a～100a）、輸出功率高（1～250w）、跨導的線性好、開關速度快等優良特性。正是由於它將電子管與功率電晶體之優點集於一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數可達數千倍）、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得廣泛應用。
vmos場效應功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區等優點，尤其是其具有負的電流溫度係數，即在柵-源電壓不變的情況下，導通電流會隨管溫公升高而減小，故不存在由於「二次擊穿」現象所引起的管子損壞現象。因此，vmos管的併聯得到廣泛應用。
眾所周知，傳統的mos場效電晶體的柵極、源極和漏極大大致處於同一水平面的晶元上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。vmos管則不同，從圖1上可以看出其兩大結構特點:第一，金屬柵極採用v型槽結構；第二，具有垂直導電性。
由於漏極是從晶元的背面引出，所以id不是沿晶元水平流動，而是自重摻雜n+區（源極s）出發，經過p溝道流入輕摻雜n-漂移區，最後垂直向下到達漏極d。電流方向如圖中箭頭所示，因為流通截面積增大，所以能通過大電流。由於在柵極與晶元之間有二氧化矽絕緣層，因此它仍屬於絕緣柵型mos場效電晶體。
國內生產vmos場效電晶體的主要廠家有877廠、天津半導體器件四廠、杭州電子管廠等，典型產品有vn401、vn672、vmpt2等。
下面介紹檢測vmos管的方法。
1．判定柵極g
將萬用表撥至r×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發現某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大，並且交換錶筆後仍為無窮大，則證明此腳為g極，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。
2．判定源極s、漏極d
由圖1可見，在源-漏之間有乙個pn結，因此根據pn結正、反向電阻存在差異，可識別s極與d極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑錶筆的是s極，紅錶筆接d極。
3．測量漏-源通態電阻rds（on）
將g-s極短路，選擇萬用表的r×1檔，黑錶筆接s極，紅錶筆接d極，阻值應為幾歐至十幾歐。
由於測試條件不同，測出的rds（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表r×1檔實測乙隻irfpc50型vmos管，rds（on）=3.2w，大於0.
58w（典型值）。
4．檢查跨導
將萬用表置於r×1k（或r×100）檔，紅錶筆接s極，黑錶筆接d極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應有明顯偏轉，偏轉愈大，管子的跨導愈高。
注意事項：
（1）vmos管亦分n溝道管與p溝道管，但絕大多數產品屬於n溝道管。對於p溝道管，測量時應交換錶筆的位置。
（2）有少數vmos管在g-s之間並有保護二極體，本檢測方法中的1、2項不再適用。
（3）目前市場上還有一種vmos管功率模組，專供交流電機調速器、逆變器使用。例如美國ir公司生產的irft001型模組，內部有n溝道、p溝道管各三隻，構成三相橋式結構。
（4）現在市售vnf系列（n溝道）產品，是美國supertex公司生產的超高頻功率場效電晶體，其最高工作頻率fp=120mhz，id**=1a，pdm=30w，共源小訊號低頻跨導gm=2000μs。適用於高速開關電路和廣播、通訊裝置中。
（5）使用vmos管時必須加合適的散熱器後。以vnf306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器後，最大功率才能達到30w。
場效電晶體總結
一 n溝道emos場效電晶體 1 結構 2 工作原理 工作條件 pn結必須反偏 含零偏 源極一般與襯底相連，所以vds必須為正值。工作過程 1 溝道的形成 vgs 0 指向襯底的電場 吸引電子,排斥空穴 空間電荷 b圖 vgs 電子薄層 n nn 導電溝道 n c圖 開始形成溝道的vgs為開啟電壓 ...
場效電晶體詳細
一 場效管的作用 場效管和三極體一樣都能實現訊號的控制和放大，但它與三極體的工作原理不一樣 場效管也有三隻腳，分別是控制極柵極 g極 源極 s極 漏極 d極 場效管與三極體三隻引腳的對應關係 柵極 g 對應基極 b 源極 s 對應發射極 e 漏極 d 對應集電極 c 二 場效管的分類 主機板中的場效...
場效電晶體簡介
場效應電晶體 field effect transistor縮寫 fet 簡稱場效電晶體。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高 10 8 10 9 雜訊小 功耗低 動態範圍大 易於整合 沒有二次擊穿現象 安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率...