方法原料
化學方程式
工藝要點
矽粉中fe、o、ca等雜質<2%，加熱溫度≤1400℃，並注意矽粉粒度與n2的純度；1200~1300℃時α-si3n4含量高，但產物較為粗大，需後加工，易混入雜質工藝操作較易，α-si3n4含量較高，顆粒較細節能，產物純度高，合成反應時間短，產物燒結活性高
矽粉直接氮化法
固相反應法
碳熱還原二氧化矽法自蔓延法（shs）
純度較高的矽粉和氮氣或者氨氣
3si+2n2→si3n43si+4nh3→si3n4+6h2二氧化矽、碳粉和氮氣矽粉和氮氣
3sio2+6c+2n2→si3n4＋6co3si+2n2→si3n4
熱分解法
液相反應法
溶膠凝膠法
氯化矽、氨氣、己烷
sicl4+6nh3→si(nh)2+4
該法反應速度較快，可在較
nh4cl
短的時間內獲得氮化矽粉
3si(nh)2→si3n4＋2nh3
體3si(nh2)4→si3n4＋8nh33sio2+6c+2n2→si3n4+6co
方法便利，易於大規模生產，但純度難以保證，氧含量和游離碳含量都比較高此法只限於實驗室規模的研究居多，雖然本法能夠獲得高純、超細si3n4粉末，但要獲得高α相si3n4粉末很困難，且生產率很低雷射法製備的si3n4粉末通常是高純、超細的無定形微粉，粒子呈球形，粒度分布範圍窄
容易實現批量生產
ptes、teos等
高溫氣相反應法（cvd）
sicl4或sih4和nh3
3sih4+4nh3→si3n4+12h2氣相反應法
雷射氣相反應法
等離子體氣相反應法
sih4和nh3
co2+sih4+nh3→si3n4+
氯化矽、氨氣
sicl4(g) +nh3→si3n4+
氮化矽新型功能陶瓷材料
1.1氮化矽陶瓷材料以及其應用背景 自工業革命以來,所有的高溫結構材料為金屬和合金所壟斷。然而,高溫合金的使用溫度 目前達到1100 無法滿足當前新技術的需要,於是,具有更高使用溫度潛力的高溫陶瓷材料 可達1400 應運而生。當前熱機陶瓷材料正在以空前的規模進行研究和開發,si3n4工程陶瓷是其中最...
年中國氮化矽陶瓷行業市場分析及投資潛力可行報告
目錄 第一章氮化矽陶瓷市場概述 第一節氮化矽陶瓷市場發展現狀分析 一 同行業市場重要動態及發展方向 二 氮化矽陶瓷相關行業市場發展現狀分析 第二節氮化矽陶瓷市場政策環境分析 一 近年來國家以及 頒布的相關政策法規 二 相關政策法規對市場的影響程度 第三節氮化矽陶瓷市場容量分析 第四節氮化矽陶瓷市場特...
粉體製備工藝研究進展
隨超越 200839110124 無機0801班 1 粉體概念 粉體是小於一定粒徑的顆粒集合，不能忽視分子間的作用力。粉體是一種乾燥 分散的固體顆粒組成的的細微粒子，和顆粒不完全相同，通俗來說粉體比顆粒具有更細微的粒徑尺寸。粉體是一種特殊的顆粒材料，少量主要體現粒子的微觀特性，大量時共同體現出巨集觀...