高電壓複習

2022-09-22 23:12:11 字數 3045 閱讀 5402

1-2簡要論述湯遜放電理論。

答: 設外界光電離因素在陰極表面產生了乙個自由電子,此電子到達陽極表面時由於過程,電子總數增至個。假設每次電離撞出乙個正離子,故電極空間共有(-1)個正離子。

這些正離子在電場作用下向陰極運動,並撞擊陰極.按照係數的定義,此(-1)個正離子在到達陰極表面時可撞出(-1)個新電子,則(-1)個正離子撞擊陰極表面時,至少能從陰極表面釋放出乙個有效電子,以彌補原來那個產生電子崩並進入陽極的電子,則放電達到自持放電。即湯遜理論的自持放電條件可表達為r(-1)=1或=1。

1-6影響套管沿面閃絡電壓的主要因素有哪些?

答:影響套管沿面閃絡電壓的主要因素有

(1)電場分布情況和作用電壓波形的影響

(2)電介質材料的影響

(3)氣體條件的影響

(4)雨水的影響

2-6目前液體電介質的擊穿理論主要有哪些?

答:液體介質的擊穿理論主要有三類:

(1)高度純淨去氣液體電介質的電擊穿理論

(2)含氣純淨液體電介質的氣泡擊穿理論

(3)工程純液體電介質的雜質擊穿理論

3-8試比較氣體、液體和固體介質擊穿過程的異同。

答:(1)氣體介質的擊穿過程

氣體放電都有從電子碰撞電離開始發展到電子崩的階段。

由於外電離因素的作用,在陰極附近出現乙個初始電子,這一電子在向陽極運動時,如電場強度足夠大,則會發生碰撞電離,產生1個新電子。新電子與初始電子在向陽極的行進過程中還會發生碰撞電離,產生兩個新電子,電子總數增加到4個。第三次電離後電子數將增至8個,即按幾何級數不斷增加。

電子數如雪崩式的增長,即出現電子崩。

(1) 液體介質的擊穿過程

a) 電擊穿理論以碰撞電離開始為擊穿條件。

液體介質中由於陰極的場致發射或熱發射的電子在電場中被加速而獲得動能,在它碰撞液體分子時又把能量傳遞給液體分子,電子損失的能量都用於激發液體分子的熱振動。當電子在相鄰兩次碰撞間從電場中得到的能量大於hυ時,電子就能在運動過程中逐漸積累能量,至電子能量大到一定值時,電子與液體相互作用時便導致碰撞電離。

b) 氣泡擊穿理論

液體中存在氣泡時,由於交變電壓下兩串聯介質中電場強度與介質介電常數成反比,氣泡中的電場強度比液體介質高,而氣體的擊穿場強又比液體介質低得多,所以氣泡先發生電離,使氣泡溫度公升高,體積膨脹,電離進一步發展;而氣泡電離產生的高能電子又碰撞液體分子,使液體分子電離生成更多的氣體,擴大氣體通道,當氣泡在兩極間形成「氣橋」時,液體介質就能在此通道中發生擊穿。

(3)固體介質的擊穿過程

固體電介質的擊穿中,常見的有熱擊穿、電擊穿和不均勻介質區域性放電引起擊穿等形式。

a) 熱擊穿

當固體電介質加上電場時,電介質中發生的損耗將引起發熱,使介質溫度公升高,最終導致熱擊穿。

b) 電擊穿

在較低溫度下,採用了消除邊緣效應的電極裝置等嚴格控制的條件下,進行擊穿試驗時出現的一種擊穿現象。

c) 不均勻介質區域性放電引起擊穿

從耐電強度低的氣體開始,表現為區域性放電,然後或快或慢地隨時間發展至固體介質劣化損傷逐步擴大,致使介質擊穿。

4-3簡述西林電橋的工作原理。為什麼橋臂中的乙個要採用標準電容器?這—試驗專案的測量準確度受到哪些因素的影響?

答:西林電橋是利用電橋平衡的原理,當流過電橋的電流相等時,電流檢流計指向零點,即沒有電流通過電流檢流計,此時電橋相對橋臂上的阻抗乘積值相等,通過改變r3和c4來確定電橋的平衡以最終計算出cx和tanδ。採用標準電容器是因為計算被試品的電容需要多個值來確定,如果定下橋臂的電容值,在計算出tanδ的情況下僅僅調節電阻值就可以最終確定被試品電容值的大小。

這一試驗專案的測量準確度受到下列因素的影響:處於電磁場作用範圍的電磁干擾、溫度、試驗電壓、試品電容量和試品表面洩露的影響。

4-4在現場測量tanδ而電橋無法達到平衡時,應考慮到什麼情況並採取何種措施使電橋調到平衡?

答:此時可能是處於外加電場的干擾下,應採用下列措施使電橋調到平衡:

(1)加設遮蔽,用金屬遮蔽罩或網把試品與干擾源隔開;

(2)採用移相電源;

(3)倒相法。

4-5什麼是測量tanδ的正接線和反接線?它們各適用於什麼場合?

答:正接線是被試品cx的兩端均對地絕緣,連線電源的高壓端,而反接線是被試品接於電源的低壓端。反接線適用於被試品的一極固定接地時,而正接線適用於其它情況

8-14輸電線路防雷有哪些基本措施。

答:(1)架設避雷線;(2)降低桿塔接地電阻;(3)架設耦合地線;(4)採用不平衡絕緣方式;(5)採用中性點非有效接地方式;(6)裝設避雷器;(7)加強絕緣;(8)裝設自動重合閘。

1.:沿面放電的型別與特點

均勻和稍不均勻電場中的沿面放電, 極不均勻電場且具有強垂直分量是的沿面放電, 極不均勻電場中垂直分量很弱時的沿面放電。

2 汙閃事故的對策

調整爬距(增大洩露距離),定期或不定期的清掃,塗料,半導體釉絕緣子,新型合成絕緣子

3 提高氣體介質電氣強度的方法

改進電極形狀以改善電場分布, 利用空間電荷改善電場分布, 採用屏障, 採用高氣壓, 採用高電氣強度氣體, 採用高真空

4 液體和固體介質的極化

電子式極化離子式極化偶極子式極化夾層極化

5 減少雜質影響的措施(變壓器)

過濾防潮祛氣採用油和固體介質組合防塵

6 波阻抗和電阻的區別

波阻抗只是乙個比例常數,完全沒有長度的概念,線路長度的大小並不影響波阻抗的數值;而一條長線的電阻是與線路長度成正比的。波阻抗從電源吸收的功率和能量是以電磁能的形式儲存在導線周圍的媒質中,並未消耗掉;而電阻從電源吸收的功率和能量均轉化為熱能而散失掉了。

7 衝擊電暈的影響

導線波阻抗減小波速減小耦合係數增大引起波的衰減與變形

8 防雷接地

工作接地保護措施防雷接地

9 過電壓水平和絕緣水平的區別

最大長期工作電壓雷電過電壓內部過電壓

10 空氣間距的選擇

導線對地面導線之間導.地線之間導線與桿塔之間

11 流注理論

在初始階段,氣體放電以碰撞電離和電子崩的形式出現,但當電子崩發展到一定程度後,某一初始電子崩的頭部積聚到足夠數量的空間電荷,就會引起新的強烈電離和二次電子崩,這種強烈的電離和二次電子崩是由於空間電荷使區域性電場大大增強以及發生空間光電離的結果,這時放點即轉入新的流注階段。

高電壓技術複習總結

第2章氣體放點的基本物理過程 這章比較重要,要記得知識點很多,要認真看 在第二章標題下面有一句話 與固體和液體相比 1.電離是指電子脫離原子的束縛而形成自由電子 正離子的過程 電離是需要能量的,所需能量稱為電離能wi 用電子伏ev表示,也可用電離電位ui wi e表示 2.根據外界給予原子或分子的能...

高電壓技術

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高電壓習題

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