高電壓技術複習總結

2021-12-24 14:38:54 字數 4742 閱讀 3453

第2章氣體放點的基本物理過程(這章比較重要,要記得知識點很多,要認真看)

在第二章標題下面有一句話「與固體和液體相比

1.電離是指電子脫離原子的束縛而形成自由電子、正離子的過程.電離是需要能量的,所需能量稱為電離能wi(用電子伏ev表示,也可用電離電位ui=wi/e表示)

2.根據外界給予原子或分子的能量形式的不同,電離方式可分為熱電離、光電離、碰撞電離(最重要)和分級電離。

3.陰極表面的電子溢位:

(1)正離子撞擊陰極:正離子位能大於2倍金屬表面逸出功。

(2)光電子發射:用能量大於金屬逸出功的光照射陰極板。光子的能量大於金屬逸出功。

(3)強場發射:陰極表面場強達到106v/cm(高真空中決定性)

(4)熱電子發射:陰極高溫

4.氣體中負離子的形成:

電子與氣體分子或原子碰撞時,也有可能發生電子附著過程而形成負離子,並釋放出能量(電子親合能)。電子親合能的大小可用來衡量原子捕獲乙個電子的難易,越大則越易形成負離子。

負離子的形成使自由電子數減少,因而對放電發展起抑制作用。sf6氣體含f,其分子俘獲電子的能力很強,屬強電負性氣體,因而具有很高的電氣強度。

5.帶點質點的消失:

(1)帶電質點的擴散:帶電質點從濃度較大的區域向濃度較小的區域的移動,使帶電質點濃度變得均勻。電子的熱運動速度高、自由行程大,所以其擴散比離子的擴散快得多。

(2)帶電質點的復合:帶異號電荷的質點相遇,發生電荷的傳遞和中和而還原為中性質點的過程,稱為復合。帶電質點復合時會以光輻射的形式將電離時獲得的能量釋放出來,這種光輻射在一定條件下能導致間隙中其他中性原子或分子的電離。

6.氣體間隙中電流與外施電壓的關係:

第一階段:電流隨外施電壓的提高而增大,因為帶電質點向電極運動的速度加快復合率減小

第二階段:電流飽和,帶電質點全部進入電極,電流僅取決於外電離因素的強弱(良好的絕緣狀態)

第三階段:電流開始增大,由於電子碰撞電離引起的電子崩

第四階段自持放電:電流急劇上公升放電過程進入了乙個新的階段(擊穿)

外施電壓小於u0時的放電是非自持放電。

電壓到達u0後,電流劇增,間隙中電離過程只靠外施電壓已能維持,不再需要外電離因素。自持放電

7. 電子碰撞電離係數α:代表乙個電子沿電力線方向行經1cm時平均發生的碰撞電離次數。

8. 自持放電的條件:必須在氣隙內初始電子崩消失之前產生新的電子(二次電子)來取代外電離因素產生的初始電子;實驗表明:

二次電子的產生與氣壓氣隙長度的乘積(pd)有關: pd較小,自持放電可由湯遜理論(和巴申定律) 解釋; pd較大,自持放電可由流注理論解釋。

湯遜理論認為二次電子的**是正離子碰撞陰極表面發生的電子逸出。 ad ≈ ln

pd值較大時,放電也是從電子崩開始的,但當電子崩發展到一定階段後,會產生電離特強、發展速度更快的空間的光電離,形成流注(等離子體)。流注的發展速度比電子崩的快乙個數量級,且出現曲折分支。

流注理論認為,二次電子的主要**是空間的光電離。一旦出現流注,放電就可以由空間光電離自持維持;若電場均勻,間隙將被擊穿。ad = ln

流注理論可以解釋湯遜理論無法說明的pd值大時的放電現象。兩種理論各適用於一定條件的放電過程,不能用一種理論取代另一種理論。兩種理論的自持放電條件具有完全相同的形式,但兩者維持放電的過程不同。

(書上的這一段話要好好看,三種現象以後好像考研面試有用)

9.稍不均勻電場中放電的特點與均勻電場中相似,在間隙擊穿千看不到有什麼放電的跡象,極不均勻電場中放電則不同,當所加電壓達到某一臨界值時,曲率半徑較小的電極附近空間的電場強度首先達到了起始場強e0,在這個區域性區域出現藍紫色的暈光,並伴隨有「滋滋」 聲、電磁輻射和能量損耗。這種僅僅發生在強場區的電暈放電是一種自持放電。

10.電場不均勻係數:f = / ,即間隙中最大場強與平均場強的比值。通常f<2時為稍不均勻電場,f>4時為極不均勻電場。

補充:電暈放電的危害與對策(四班老師複習強調)p22

11.在極不均勻電場間隙中自持放電條件即是電暈起始的條件。

12. 在極不均勻電場中,放電一定從曲率半徑較小的那個電極表面開始,與該電極極性無關。但後來的發展過程、氣隙的電氣強度、擊穿電壓等都與該電極的極性有密切的關係。

極不均勻電場中的放電存在著明顯的極性效應。同一間隙在不同電壓極性下的電暈起始電壓不同,擊穿電壓也不同,這就是放電的極性效應。

13. 正極性(棒)電暈放電

棒極帶正電位時,電子崩頭部的電子到達棒極後即被中和,棒極附近空間留下許多正離子。

這些正離子雖朝板極移動,但速度很慢而暫留在棒極附近。這些正空間電荷削弱了棒極附近的電場強度,而加強了正離子群外部空間的電場。

正空間電荷阻止了正棒極附近流注的形成,使電暈起始電壓有所提高。

14. 負極性棒-板間隙擊穿電壓比正極性棒-板電極高

正極性棒-板電極容易被擊穿 。

補充:12——14點很重要,會畫圖,描述,記住結論。p25第三段有知識點,大家看一下。

第3章氣體間隙的擊穿場強

1.均勻電場中的擊穿:(特點)

1)均勻電場中電極布置對稱,擊穿無極性效應;

2)均勻場間隙中各處電場強度 u相等,擊穿所需時間極短,直流擊穿電壓、工頻擊穿電壓峰值、50%衝擊擊穿電壓相同;

3)擊穿電壓的分散性很小。(書旁邊的圖看一下)

間距1-10cm均勻電場擊穿場強為30kv/cm。

(3·1·2這一節只要記住p25頁的結論(上邊補充的)就可以了,其他不作要求,四班的老師如是說)

3·2這一節很重要,知識較多,大家好好看

2.衝擊電壓的標準波形:(這個圖很重要,各點的意義要知道)

雷電衝擊電壓與系統電壓無關。避雷器動作後,作用在系統上的為避雷器的殘壓。

標準雷電波的波形:=1.2μs±30%,=50μs±20

對於不同極性:

+1.2/50μs或-1.2/50μs

操作衝擊波的波形: /=250( ±20 %) / 2500( ±60%) μs

3.放電時延(要理解):要使氣體間隙擊穿,除了足夠場強、引起電子崩並導致流注的有效電子外,氣隙擊穿還需要一定的時間,讓放電得以逐步發展並完成擊穿。

4. 50%擊穿電壓:多次施加電壓時有半數會導致擊穿的電壓值

低概率擊穿電壓: = - 3σ

5.衝擊係數:同一間隙50%衝擊擊穿電壓與穩態擊穿電壓之比,稱為擊穿係數β。

均勻和稍不均勻電場:β≈1放電時延短,分散性小;極不均勻電場:β>1放電時延長,擊穿常一般發生在波尾。

6. 伏-秒特性:在同一衝擊電壓波形下,擊穿電壓值與放電時延(或電壓作用時間)有關的特性。

50%擊穿電壓只是50%伏-秒特性曲線上的乙個點,即在衝擊全波作用下的50%擊穿電壓。(重要,還有書上的相關圖形)

7.大氣密度和濕度對擊穿的影響:

在極不均勻電場中,空氣中的水分(濕度增大)能使間隙的擊穿電壓有所提高。

隨著海拔高度增加,外絕緣的放電電壓將下降。

補充:3.3這一節四班老師提到幾個知識點,其中操作衝擊電壓的擊穿物件,有「u形曲線」,

3.3.3這一小節中」由圖可見…..這一句老師有提到。3.4.1不要求,海拔的影響要求。

8. 是理想的氣體絕緣介質和滅弧介質,在均勻電場中氣體的絕緣強度約為空氣的2.5倍,其滅弧能力是空氣的100 以上。 (裝置的幾種要記住)

氣體的液化溫度較低,一般可滿足工程實際的應用,如 0.75mpa(7個大氣壓,作為斷路器的絕緣)的液化溫度是 -25℃,0.45mpa(4個大氣壓,作為gis絕緣)的液化溫度不高於-40℃。

氣體的應用可大大降低裝置尺寸,與空氣介質相比,500kv的gis是敞開式的1/50。氣體廣泛應用於高壓斷路器、gis、充氣管道電纜,充氣體的變壓器和開關櫃也在發展中。只有在均勻電場和稍不均勻電場,氣體才能發揮其優異的絕緣性能,因而一般應用氣體做絕緣時,應盡量保證其電場的均勻性。

此外,氣體中水含量的增加,將會大大降低其絕緣性能,因而使用中應定期檢測其微水含量。

氣體**高,溫室效應相當於的23900倍,且氣體不會自然分解,在大氣中壽命長達2023年。一般工程中多採用混合氣體。

氣體在極不均勻電場中擊穿的異常現象:一是擊穿電壓隨氣壓的變化出現駝峰現象;二是在駝峰氣壓範圍內,雷擊衝擊擊穿電壓明顯低於穩態擊穿電壓。

補充:p38第一句,p39頁倒數第二段第一句,老師有提到,其他的沒有怎麼說。

3.5.3以後的章節四班老師沒有要求,大家參考一下

9.提高氣隙擊穿電壓的措施:

改善電場分布的措施:改善電極形狀;利用空間電荷對原電場的畸變作用;極不均勻電場中遮蔽的採用。

削弱電離過程的措施:高氣壓的採用;強電負性氣體的應用;高真空的採用。

第4章氣體中沿固體絕緣表面的放電

章節標題下的那一段要了解

1. 沿面閃絡:指沿氣體介質與固體介質交介面上發展的放電現象。

補充:4.2這一節的第一句,有提到。後面的消除氣隙放電的措施p47.

2. 沿面放電:均勻電場中固體介質的引入並不影響電極間的電場分布,但放電總是發生在介面,且閃絡電壓比空氣間隙的擊穿電壓要低得多。說明電場畸變嚴重。(特點)

1)沿面閃絡電壓與固體絕緣材料特性有關

2)固體介質與電極接觸緊密程度對閃絡電壓有影響

3)介質表面粗糙,也會使電場分布畸變,從而使閃絡電壓降低

4)上述影響因素在高氣壓時表現得更為明顯

3.具有強垂直分量時的沿面放電:(電暈放電—細線狀輝光放電—滑閃放電—閃絡)(重要)

隨著外施電壓公升高,首先在接地法蘭處出現電暈放電形成的光環,這是因為該處的電場強度最高。隨著電壓的公升高,放電區逐漸形成由許多平行的火花細長線組成的光帶。當外施電壓超過某一臨界值後,放電性質發生變化,個別細線開始迅速增長,轉變為樹枝狀有分叉的明亮的火花通道,稱為滑閃放電。

滑閃放電通道中電流密度較大,壓降較小,其伏—秒特性具有下降特性,故滑閃放電是以介質表面放電通道中發生了熱電離為特徵的。

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