環保工程師複習必讀材料

2022-09-16 23:36:02 字數 2409 閱讀 7335

(發布時間: 2008-7-10 8:59:00 來自:)

1.2環保工程師複習題之沉澱、澄清及濃縮

大綱要求:掌握沉澱、澄清及汙泥濃縮的技術和方法

1.2.1環保工程師複習題之沉澱原理和分類

⑴環保工程師複習題之沉澱原理:

利用某些懸浮顆粒的密度大於水的特性,將其從水中去除。

⑵環保工程師複習題之沉澱分類

①自由沉澱②絮凝沉澱③擁擠沉澱④壓縮沉澱

在城市汙水處理流程中,在沉砂池中砂粒的沉澱一般為自由沉澱,活性汙泥在二沉池中為絮凝沉澱,二沉池下部汙泥的沉澱為擁擠沉澱,活性汙泥在汙泥濃縮池中的濃縮過程為壓縮沉澱,這部分內容今年也出了一道題目,題目的內容大致是關於沉澱分類的論述哪一項是正確的:4個選項內容為:a沉砂池是自由沉澱;b混凝沉澱為絮凝沉澱;c二沉池底部應該是壓縮沉澱,與汙泥濃縮池一樣;d濃縮池是壓縮沉澱,從選項內容來看,abd都是正確的,c選項中二沉澱下部汙泥的沉澱為擁擠沉澱,不是壓縮沉澱,所以c錯誤。

⑶環保工程師複習題之沉澱顆粒的沉速

低流速的離散性顆粒,在水中受到重力、浮力和水的阻力三個力的作用,其合力決定顆粒在水中的加速度和沉速。

⑷環保工程師複習題之沉澱試驗

①自由沉澱試驗

②絮凝沉澱(干擾沉澱)試驗

③擁擠沉澱試驗

1.2.2環保工程師複習題之沉澱池

⑴環保工程師複習題之沉澱池的分類

按池內水流方向的不同,可以分為平流式沉澱池、輻流式沉澱池和豎流式沉澱池

按在工藝流程中位置不同,可分為初沉池和二沉池

按截除顆粒沉降距離不同,可分為一般沉澱池和淺層沉澱池

⑵環保工程師複習題之平流式沉澱池:

①構造:進水區、出水區、沉澱區、緩衝層、汙泥區及排泥裝置

②環保工程師複習題之平流式沉澱池的工作原理

掌握沉澱池的設計計算:根據靜置沉澱試驗所求得的沉速和表面負荷等資料來計算。(p41~p42的公式)

掌握汙泥區的計算公式

緩衝水層(位於汙泥區和澄清區之間)的深度可取0.3~0.5m

沉澱池的個數宜在2個以上。

③掌握平流式沉澱池的進出水裝置和排泥鬥形式以及平流式沉澱池的設計技術引數的選擇(見第三章內容)

④平流沉澱池的優缺點

⑶輻流式沉澱池

可作為初沉池或二沉池

①構造②優缺點

③設計要求和引數選擇(掌握設計引數)

⑷豎流式沉澱池

掌握設計要求和引數選擇:例如設計中心管流速不大於30mm/s等

⑸斜板(管)沉澱池

①分類:側向流、同向流、異向流斜板(管)沉澱池

②掌握設計要求和引數的選擇

③掌握其應用條件:例如其不宜作為二沉池使用,主要原因是活性汙泥的黏度大,易因汙泥的黏附而影響沉澱效果。

1.2.3環保工程師複習題之澄清池

⑴環保工程師澄清池原理

是利用高濃度的活性泥渣層的接觸絮凝作用,將水中雜質阻留,使水得到澄清。

⑵環保工程師澄清池型別與特點

①迴圈(回流)泥渣型澄清池

是利用機械或水力的作用,使部分沉澱泥渣迴圈回流以增加和水中雜質的接觸碰撞和吸附機會,提高混凝的效果。

包括機械攪拌澄清池和水力迴圈澄清池等

a環保工程師之機械攪拌澄清池

特點:單位面積處理量較大,但裝置的日常管理和維修工作量較大,適用於較大的處理規模。

適用條件:無機械刮泥時,進水濁度一般不超過500度,有機械刮泥時,一般為500~3000度

b環保工程師之水力迴圈澄清池

由於絮凝不夠充分,對水質和水溫適應能力較差,目前應用不太多,適用於中、小型處理規模。

②懸浮泥渣型澄清池

工作原理:是使上公升水流的流速等於絮粒在靜水中靠重力沉降的速度,絮粒處於既不沉澱又不隨水流上公升的懸浮狀態,當絮粒集結到一定厚度時,就構成泥渣懸浮層,原水通過時,水中雜質與絮粒碰撞接觸,並被懸浮泥渣層的絮粒吸附、過濾而截留下來。

包括懸浮澄清池和脈衝澄清池等。

a懸浮澄清池

適用於中、小處理規模,對進水水量、水溫及加藥量較敏感,可建成單層式或雙層式,單層式適用於原水濁度長期低於3000度以下,雙層式可適用原水濁度超過3000度左右。單池面積不宜超過150m2

b脈衝澄清池

澄清效率高,具有脈衝的快速混合、緩慢充分的絮凝、大阻力配水系統而使布水較均勻、水流垂直上公升和池體利用較充分等優點,多用於處理原水濁度小於3000度的水。

一般脈衝澄清池的脈衝週期可採用30~40s,充放時間比為3:1~4:1

1.2.4環保工程師複習題之汙泥濃縮

其工藝有重力濃縮、氣浮濃縮和離心濃縮三種方式,國內一般採用重力濃縮。

⑴環保工程師汙泥濃縮的目的

汙泥的含水率非常高,達95%以上,因而其體積非常大,濃縮的目的在於減容,例如含水率由99%降到96%時,體積可減小3/4,可為後續的汙泥處理創造條件。

⑵重力濃縮池

①間歇式

②連續式

⑶重力濃縮池的設計

其工藝設計見第3章。

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