英特爾公司於當地時間本週三宣布，它已經發明了一種絕緣電晶體的突破性新方法，解決了半導體產業面臨的最基本問題之一：在減少電能損耗和發熱量的同時使計算機晶元越來越小。
隨著半導體廠商在晶元中「塞入」的電晶體越來越多，電晶體就會出現電子洩露的問題。這意味著功能強大的晶元需要更多的電能，縮短了電池使用時間，並造成計算機散發大量熱量，使膝上型電腦變得燙手，企業則需要為伺服器系統建立昂貴的冷卻系統。
英特爾公司稱，為了解決這一問題，它已經找到了一種絕緣金屬材料，以取代目前電晶體中普遍使用的二氧化矽。二氧化矽在電晶體中的使用已經有三十年的歷史了。英特爾公司的技術分析師威羅納爾說，能耗問題是半導體產業目前遇到的最大難題，我們的技術是對電晶體的重新設計。
當在晶元上整合的電晶體越來越多時，二氧化矽絕緣層會變得非常薄，使電流能夠洩露出去。英特爾公司的解決方案是一種被稱為「高k絕緣體」的較厚的金屬材料，使電晶體不會發生電流洩露。
為了提高晶元的運算能力，英特爾公司及其競爭對手在晶元中整合的電晶體數目越來越大。例如，2023年推出的奔騰晶元整合了310萬個電晶體，奔騰4晶元則整合了5500萬個電晶體，英特爾公司在2023年推出的晶元預計將整合10億個以上的電晶體。
英特爾公司的創始人之一戈登·摩爾在2023年提出了著名的摩爾定律，即晶元上整合的電晶體數量每18個月就會翻一番。今年2月份，他**說，摩爾定律在未來10年內還會繼續生效，但他警告說，為了減少晶元的發熱量，必須首先解決電流洩露的問題。
威羅納爾表示，由於新的絕緣材料與現有的矽柵極不相容，英特爾公司還將在柵極中使用金屬材料。
英特爾公司沒有披露新材料的成份。英特爾公司稱，它將在2023年使用這種新技術，屆時，它還將開始使用0.045微公尺生產工藝。
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