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關於微帶結構、管殼或大pitch間距晶元的射頻測試解決辦法由於探針臺越來越多的普及，同時外加在片測試的精確度極高，所以現在很多高校、研究所開始在cascade系列的機台上測試非晶元的結構，如：微組裝中使用的微帶結構、承載晶元的管殼、鍵合後的晶元等，這些都會有乙個較為常見的問題，就是射頻測試中要是希望達到50g時，「gs」或「gsg」探針的」g」與」s」探針的中心點間距最好小於200um，但是由於各種工藝導致有時候會大於200，甚至有些是在1mm以上，或是有些微帶線的「g」與「s」不在同一平面上，下面我將推薦大家一種方法解決這個問題。cc
由於射頻探針都是共面波導的結構，如下圖中acp探針，邊緣的「g」和中心導體貼焊上的「s」均在同一平面上，所以測試不在同一平面的微帶結構會是一種挑戰。
經過反覆嘗試，我們首先生產一塊晶元，晶元如下圖，晶元正面畫有g、s、g三個pad，每個pad寬為70um，中心點間距150um，且s長度較長，這是為了方便後期s端和微帶上的s進行鍵合。
晶元正面晶元背面
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由於微帶結構中s在上層，g在背面，為了將其轉化為共面波導，所以我們的晶元在工藝生產上是：兩側的g是和晶元背面的g進行聯通的，但是s只是表面。
然後拿一塊導電的基板將晶元靠近微帶結構一起燒結起來，這樣晶元背面的「g」就和微帶結構的「g」聯通了，然後通過金色結合將微帶結構的「s」埠鍵合在晶元的「s」上，這樣既可實現較為龐大的微帶結構利用探針臺的測試，如下圖：
鍵合同理，如果是較為龐大的管殼，「g」與「s」間距在200um以上，那麼就直接在晶元正面生產「gsg」結構且無需和背部相連，然後通過鍵合將每乙個g和s與管殼上的g與s進行相連即可完成測試。
如果大家需要更加精確的測試也可在生產晶元的時候再生產一組開路、短路、延遲，這樣即可實現去嵌，得到乙個純淨的dut引數，詳情可直接與我們聯絡。
希望本文對大家有幫助，感謝！
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