電晶體特性圖示儀的使用
電晶體測量儀器是以通用電子測量儀器為技術基礎，以半導體器件為測量物件的電子儀器。用它可以測試晶體三極體（npn型和pnp型）的共發射極、共基極電路的輸入特性、輸出特性；測試各種反向飽和電流和擊穿電壓，還可以測量場效管、穩壓管、二極體、單結電晶體、可控矽等器件的各種引數。下面以xj4810型晶體特性圖示儀為例介紹電晶體圖示儀的使用方法。
7.1 xj4810型電晶體特性圖示儀面板功能介紹
xj4810型電晶體特性圖示儀面板如圖a-23所示：
1. 集電極電源極性按鈕，極性可按面板指示選擇。
2. 集電極峰值電壓保險絲：1.5a。
3. 峰值電壓%：峰值電壓可在0～10v、0～50v、0～100v、0～500v之連續可調，面板上的標稱值是近似值，參考用。
4. 功耗限制電阻：它是串聯在被測管的集電極電路中，限制超過功耗，亦可作為被測半導體管集電極的負載電阻。
5. 峰值電壓範圍：分0～10v/5a、0～50v/1a、0～100v/0.
5a、0～500v/0.1a四擋。當由低擋改換高擋觀察半導體管的特性時，須先將峰值電壓調到零值，換擋後再按需要的電壓逐漸增加，否則容易擊穿被測電晶體。
ac擋的設定專為二極體或其他元件的測試提供雙向掃瞄，以便能同時顯示器件正反向的特性曲線。
6. 電容平衡：由於集電極電流輸出端對地存在各種雜散電容，都將形成電容性電流，因而在電流取樣電阻上產生電壓降，造成測量誤差。
為了盡量減小電容性電流，測試前應調節電容平衡，使容性電流減至最小。
7. 輔助電容平衡：是針對集電極變壓器次級繞組對地電容的不對稱，而再次進行電容平衡調節。
8. 電源開關及輝度調節：旋鈕拉出，接通儀器電源，旋轉旋鈕可以改變示波管光點亮度。
9. 電源指示：接通電源時燈亮。
10. 聚焦旋鈕：調節旋鈕可使光跡最清晰。
11. 螢光螢幕：示波管螢幕，外有座標刻度片。
12. 輔助聚焦：與聚焦旋鈕配合使用。
13. y軸選擇（電流/度）開關：具有22擋四種偏轉作用的開關。可以進行集電極電流、基極電壓、基極電流和外接的不同轉換。
14. 電流/度×0.1倍率指示燈：燈亮時，儀器進入電流/度×0.1倍工作狀態。
15. 垂直移位及電流/度倍率開關：調節跡線在垂直方向的移位。旋鈕拉出，放大器增益擴大10倍，電流/度各擋ic標值×0.1，同時指示燈14亮.
16. y軸增益：校正y軸增益。
17. x軸增益：校正x軸增益。
18.顯示開關：分轉換、接地、校準三擋，其作用是：
⑴轉換：使影象在ⅰ、ⅲ象限內相互轉換，便於由npn管轉測pnp管時簡化測試操作。
⑵接地：放大器輸入接地，表示輸入為零的基準點。
⑶校準：按下校準鍵，光點在x、y軸方向移動的距離剛好為10度，以達到10度校正目的。
19. x軸移位：調節光跡在水平方向的移位。
20. x軸選擇（電壓/度）開關：可以進行集電極電壓、基極電流、基極電壓和外接四種功能的轉換，共17擋。
21. 「級/簇」調節：在0～10的範圍內可連續調節階梯訊號的級數。
22. 調零旋鈕 ：測試前，應首先調整階梯訊號的起始級零電平的位置。
當螢光屏上已觀察到基極階梯訊號後，按下測試台上選擇按鍵「零電壓」，觀察光點停留在螢光屏上的位置，復位後調節零旋鈕，使階梯訊號的起始級光點仍在該處，這樣階梯訊號的零電位即被準確校正。
23. 階梯訊號選擇開關：可以調節每級電流大小注入被測管的基極，作為測試各種特性曲線的基極訊號源，共22擋。一般選用基極電流/級，當測試場效電晶體時選用基極源電壓/級。
24. 串聯電阻開關：當階梯訊號選擇開關置於電壓/級的位置時，串聯電阻將串聯在被測管的輸入電路中。
25. 重複－－關按鍵：彈出為重複，階梯訊號重複出現；按下為關，階梯訊號處於待觸發狀態。
26. 階梯訊號待觸發指示燈：重複按鍵按下時燈亮，階梯訊號進入待觸發狀態。
27. 單簇按鍵開關：單簇的按動其作用是使預先調整好的電壓（電流）/級，出現一次階梯訊號後回到等待觸發位置，因此可利用它瞬間作用的特性來觀察被測管的各種極限特性。
28. 極性按鍵：極性的選擇取決於被測管的特性。
29. 測試台：其結構如圖a-24所示。
30. 測試選擇按鍵：
⑴「左」、「右」、「二簇」：可以在測試時任選左右兩個被測管的特性，當置於「二簇」時，即通過電子開關自動地交替顯示左右二簇特性曲線，此時「級/簇」應置適當位置，以利於觀察。二簇特性曲線比較時，請不要誤按單簇按鍵。
⑵「零電壓」鍵：按下此鍵用於調整階梯訊號的起始級在零電平的位置，見（22）項。
⑶「零電流」鍵：按下此鍵時被測管的基極處於開路狀態，即能測量iceo特性。
31、32. 左右測試插孔：插上專用插座（隨機附件），可測試f1、f2型管座的功率電晶體。
33、34、35.電晶體測試插座。
36. 二極體反向漏電流專用插孔（接地端）。
在儀器右側板上分布有圖a-25所示的旋鈕和端子：
37. 二簇移位旋鈕：在二簇顯示時，可改變右簇曲線的位置，更方便於配對電晶體各種引數的比較。
38. y軸訊號輸入：y軸選擇開關置外接時，y軸訊號由此插座輸入。
39. x軸訊號輸入：x軸選擇開關置外接時，x軸訊號由此插座輸入。
40. 校準訊號輸出端：1v、0.5v校準訊號由此二孔輸出。
7.2測試前注意事項
為保證儀器的合理使用，既不損壞被測電晶體，也不損壞儀器內部線路，在使用儀器前應注意下列事項：
1. 對被測管的主要直流引數應有乙個大概的了解和估計，特別要了解被測管的集電極最大允許耗散功率pcm、最大允許電流icm和擊穿電壓bvebo、bvcbo 。
2. 選擇好掃瞄和階梯訊號的極性，以適應不同管型和測試專案的需要。
3. 根據所測引數或被測管允許的集電極電壓，選擇合適的掃瞄電壓範圍。一般情況下，應先將峰值電壓調至零，更改掃瞄電壓範圍時，也應先將峰值電壓調至零。
選擇一定的功耗電阻，測試反向特性時，功耗電阻要選大一些，同時將x、y偏轉開關置於合適擋位。測試時掃瞄電壓應從零逐步調節到需要值。
4. 對被測管進行必要的估算，以選擇合適的階梯電流或階梯電壓，一般宜先小一點，再根據需要逐步加大。測試時不應超過被測管的集電極最大允許功耗。
5. 在進行icm的測試時，一般採用單簇為宜，以免損壞被測管。
6. 在進行ic或icm的測試中，應根據集電極電壓的實際情況選擇，不應超過本儀器規定的最大電流，見表a-3。
表a-3 最大電流對照表
7. 進行高壓測試時，應特別注意安全，電壓應從零逐步調節到需要值。觀察完畢，應及時將峰值電壓調到零。
7.3基本操作步驟
1. 按下電源開關，指示燈亮，預熱15分鐘後，即可進行測試。
2. 調節輝度、聚焦及輔助聚焦，使光點清晰。
3. 將峰值電壓旋鈕調至零，峰值電壓範圍、極性、功耗電阻等開關置於測試所需位置。
4. 對x、y軸放大器進行10度校準。
5. 調節階梯調零。
6. 選擇需要的基極階梯訊號，將極性、串聯電阻置於合適擋位，調節級/簇旋鈕，使階梯訊號為10級/簇，階梯訊號置重複位置。
7. 插上被測電晶體，緩慢地增大峰值電壓，螢光屏上即有曲線顯示。
7.4測試例項
1. 電晶體hfe和β值的測量
以npn型3dk2電晶體為例，查手冊得知3dk2 hfe的測試條件為vce =1v、ic=10ma。將光點移至螢光屏的左下角作座表零點。儀器部件的置位詳見表a-4。
表a-4 3dk2電晶體hfe、β測試時儀器部件的置位
逐漸加大峰值電壓就能在顯示屏上看到一簇特性曲線，如圖a-26所示.讀出x軸集電極電壓vce =1v時最上面一條曲線（每條曲線為20μa，最下面一條ib=0不計在內）ib值和y軸ic值，可得
pnp型三極體hfe和β的測量方法同上，只需改變掃瞄電壓極性、階梯訊號極性、並把光點移至螢光屏右上角即可。
2.電晶體反向電流的測試
以npn型3dk2電晶體為例，查手冊得知3dk2 icbo、iceo的測試條件為vcb、vce均為10v。測試時，儀器部件的置位詳見表a-5。
逐漸調高「峰值電壓」使x軸vcb=10v，讀出y軸的偏移量，即為被測值。被測管的接線方法如圖1-28，其中圖a-28（a）測icbo值，圖a-28（b）測iceo值、圖a-28（c）測iebo值。
圖a-29 反向電流測試曲線
pnp型電晶體的測試方法與npn型電晶體的測試方法相同。可按測試條件，適當改變擋位，並把集電極掃瞄電壓極性改為「—」，把光點調到螢光屏的右下角（階梯極性為「+」時）或右上角（階梯極性為「—」時）即可。
3.電晶體擊穿電壓的測試
以npn型3dk2電晶體為例，查手冊得知3dk2 bvcbo、bvceo、bvebo的測試條件ic分別為100μa、200μa和100μa。測試時，儀器部件的置位詳見表a-6。
逐步調高「峰值電壓」，被測管按圖a-30（a）的接法，y軸ic=0.1ma時，x軸的偏移量為bvceo值；被測管按圖a-30（b）的接法，y軸ic=0.2m a時，x軸的偏移量為bvceo值；被測管按圖a-30（c）的接法，y軸ic=0.
1ma時，x軸的偏移量為bvebo值。
表a-8 2dp5c整流二極體測試時儀器部件的置位
6.二簇特性曲線比較測試
以npn型3dg6電晶體為例，查手冊得知3dg6電晶體輸出特性的測試條件為ic=10 ma、vce=10v。測試時，儀器部件的置位詳見表a-9。
將被測的兩隻電晶體，分別插入測試台左、右插座內，然後按表1-8置位各功能鍵，引數調至理想位置。按下測試選擇按鈕的「二簇」琴鍵，逐步增大峰值電壓，即可要螢光屏上顯示二簇特性曲線，如圖a-34所示。
表a-9 二簇特性曲線測試時儀器部件的置位
當測試配對管要求很高時，可調節「二簇位移旋鈕」（37），使右簇曲線左移，視其曲線重合程度，可判定其輸出特性的一致程度。
XJ4810電晶體特性圖示儀說明書
電晶體測量儀器是以通用電子測量儀器為技術基礎，以半導體器件為測量物件的電子儀器。用它可以測試晶體三極體 npn型和pnp型 的共發射極 共基極電路的輸入特性 輸出特性 測試各種反向飽和電流和擊穿電壓，還可以測量場效管 穩壓管 二極體 單結電晶體 可控矽等器件的各種引數。下面以xj4810型晶體特性圖...
a半導體的基礎知識半導體二極體
2 多數載流子為空穴，少數載流子為電子 故p型半導體也稱空穴型半導體 3 結論 1 雜質使半導體中出現了可以運動的電子或空穴。2 n p型半導體都呈現電中性 四 pn結的形成及特性 1 pn結的形成 p型和n型半導體結合在一起後，在交介面形成的特殊導電薄層 1 pn結的內電場 方向由n區 帶正電 指...
七管半導體查詢總結報告
專業 電子科學與技術學號 140131115 姓名 邰含旭 一 設計題目 hx108 2 七管半導體收音機 二 課程設計目的 1 熟悉hx108 2七管半導體收音機的組成 工作原理 2 熟悉手工焊錫的常用工具的使用及其維護與修理 3 基本掌握手工電烙鐵的焊接技術，能夠獨立的完成簡單電子產品的安裝與焊...