如前所述，受尺寸、體積和重量的影響，線繞電阻不可能採用晶元型。儘管精度低於線繞電阻，但由於具有更高的電阻密度 （高阻值/小尺寸） 且成本更低，厚膜電阻得到廣泛使用。與薄膜電阻和金屬箔電阻一樣，厚膜電阻頻響速度快，但在目前使用的電阻技術中，其雜訊最高。
雖然精度低於其他技術，但我們之所以在此討論厚膜電阻技術，是由於其廣泛應用於幾乎每一種電路，包括高精密電路中精度要求不高的部分。
厚膜電阻依靠玻璃基體中粒子間的接觸形成電阻。這些觸點構成完整電阻，但工作中的熱應變會中斷接觸。由於大部分情況下併聯，厚膜電阻不會開路，但阻值會隨著時間和溫度持續增加。
因此，與其他電阻技術相比，厚膜電阻穩定性差 （時間、溫度和功率）。
由於結構中成串的電荷運動，粒狀結構還會使厚膜電阻產生很高的雜訊。給定尺寸下，電阻值越高，金屬成份越少，雜訊越高，穩定性越差。厚膜電阻結構中的玻璃成分在電阻加工過程中形成玻璃相保護層，因此厚膜電阻的抗濕性高於薄膜電阻。
金屬箔電阻
將具有已知和可控特性的特種金屬箔片敷在特殊陶瓷基片上，形成熱機平衡力對於電阻成型是十分重要的。然後，採用超精密工藝光刻電阻電路。這種工藝將低 tcr、長期穩定性、無感抗、無 esd 感應、低電容、快速熱穩定性和低雜訊等重要特性結合在一種電阻技術中。
這些功能有助於提高系統穩定性和可靠性，精度、穩定性和速度之間不必相互妥協。為獲得精確電阻值，大金屬箔晶元電阻可通過有選擇地消除內在「短板」進行修整。當需要按已知增量加大電阻時，可以切割標記的區域 （圖2），逐步少量提高電阻。
圖2合金特性及其與基片之間的熱機平衡力形成的標準溫度係數，在0 °c 至 + 60 °c 範圍內為 ± 1 ppm/°c （z 箔為0.05 ppm/°c） （圖3）。
圖3採用平箔時，併聯電路設計可降低阻抗，電阻最大總阻抗為 0.08 uh。最大電容為 0.
05 pf。1-k? 電阻設定時間在 100 mhz以下小於 1 ns。
上公升時間取決於電阻值，但較高和較低電阻值相對於中間值僅略有下降。沒有振鈴雜訊對於高速切換電路是十分重要的，例如訊號轉換。
100 mhz 頻率下，1-k? 大金屬箔電阻直流電阻與其交流電阻的對比可用以下公式表示：
交流電阻/直流電阻 = 1.001
圖4： 大金屬箔電阻結構
金屬箔技術全面組合了高度理想的、過去達不到的電阻特性，包括低溫度係數（0 °c 至 + 60 °c 為 0.05 ppm/°c），誤差達到 ± 0.005 % （採用密封時低至 ± 0.
001 %），負載壽命穩定性在 70 °c，額定加電2000小時的情況下達到 ± 0.005 % （50 ppm），電阻間一致性在 0 °c 至 + 60 °c 時為 0.1 ppm/°c，抗 esd 高達 25 kv。
效能要求
當然並非每位設計師的電路都需要全部高效能引數。技術規格相當差的電阻同樣可以用於大量應用中，這方面的問題分為四類：
（1） 現有應用可以利用大金屬箔電阻的全部效能公升級。
（2） 現有應用需要乙個或多個，但並非全部「行業最佳」效能引數。
（3） 先進的電路只有利用精密電阻改進的技術規格才能開發。
（4） 有目的地提前計畫使用精密電阻滿足今後公升級要求 （例如，利用電阻而不是有源器件保持電路精度，從而節省成本，否則僅僅為了略微提高效能則要顯著增加成本）。
缺表測電阻方法
缺表法測電阻 1 給你兩塊電壓表 乙個開關 電源 電壓未知 已知電阻r0 導線若干，測未知電阻rx的阻值 1 寫出主要的實驗步驟 2 寫出rx的表示式 2 給你一塊電壓表 乙個開關 電源 電壓未知 已知電阻r0 導線若干，測未知電阻rx的阻值 1 寫出主要的實驗步驟 2 寫出rx的表示式 3 給你一...
光敏電阻特性的測量
實驗4.5 光敏電阻基本特性的測量 光敏感測器是將光訊號轉換為電訊號的感測器，也稱為光電式感測器，它可用於檢測直接引起光強度變化的非電量，如光強 光照度 輻射測溫 氣體成分分析等 也可用來檢測能轉換成光量變化的其它非電量，如零件直徑 表面粗糙度 位移 速度 加速度及物體形狀 工作狀態識別等。光敏感測...
光敏電阻特性測試實驗 精
1 學習掌握光敏電阻工作原理 2 學習掌握光敏電阻的基本特性 3 掌握光敏電阻特性測試的方法 4 了解光敏電阻的基本應用 1 光敏電阻的暗電阻 暗電流測試實驗 2 光敏電阻的亮電阻 亮電流測試實驗 3 光敏電阻光電流測試實驗 4 光敏電阻的伏安特性測試實驗 5 光敏電阻的光電特性測試實驗 6 光敏電...