LM3478的50W DCDC公升降壓變換器設計方案

2021-11-01 02:12:27 字數 2378 閱讀 1155

摘至電子發燒友

現代電子技術發展很快,半導體**商不斷推出新器件,從而推動電子應用工程師的不斷創新設計,以滿足市場的日益需求。本文介紹的即是基於客戶的需求,應用美國國家半導體公司的新型電流型pwm晶元l

通常稱之為公升降壓變換器sepic的簡單原理如下:當sw開通時,加在l1,l2上的電壓均為vin,此時cp並在l2上,且有cp上的電壓與l2上的相等。當sw關斷時,l1中的電流繼續沿著cp、d1流向cout輸出到

該電路是基於sepic拓撲、應用lm3478晶元按照客戶的技術要求設計的。在該電路中,考慮到介面卡的體積及儲能電感磁性材料的體積,選定工作頻率fs=250khz。

計算儲能電感l3、l4的電感量及磁芯選擇

首先由公式:d=vout/(vout+vin)計算占空比。由於最嚴酷條件下的電感紋波電流是在最大輸入電壓下,所以d=12/(12+60)≈0.167。

計算儲能電感l3、l4:正常情況下,l4的大小在確保最小負載電流下使電感電流連續,且輸出紋波滿足指標要求。為此,我們假定在20%最小負載電流下,允許有40%的峰-峰值紋波電流流過l4。

c1、c2為輸入濾波,q1、dz1、dz2、d1-1構成啟動電源,l3、l4為儲能電感,q2為功率mosfet,ic為pwm驅動晶元,r5為頻率調整電阻,c3、c4、r2為反饋補償,r3、r4為反饋分壓電阻,r7為過電流取樣電阻,c8、c9為sepic電容,r8、r9、c6、c7為吸收網路,d2為輸出整流二極體,c10、c11、c12為輸出濾波電容。當然要想符合emc要求,輸入端還應該有共模電感,差模電感,及x、y等安規電容。

l=vdt/di;

其中dt=1/fsd=1/(250103)0.167≈0.668,v為vin在mosfet開通時的值。因此,有如下計算:

l4=60(0.66810-6/0.4)=100.

2μh。取100μh的標稱值。由該sepic原理及設計經驗可知,作為倆個分離的儲能電感,l3的取值也為:

100μh。

由於該電感為儲能電感,因此,對磁性材料的選取要特別注意。此處選擇的材料為:magnetic公司的kool mu,相同效能的材料,其他公司又稱鐵矽鋁。引數如下:

料號:77381-a7,黑色

尺寸:17.279.656.35(mm),為環型磁芯

電感因數al:43(nh/n2),n為圈數

由公式:l=aln2,可以計算出電感圈數為:

48圈,且用awg18號線繞制。l3、l4相同引數。

magnetic公司的kool mu材料,損耗少,相對成本低,也可以選同規格其他廠商鐵矽鋁材料。如果想進一步降低成本也可以選用國產的鐵矽鋁材料。

上述l3、l4為兩個分離電感設計,也可以共用乙個儲能磁環,只是此時由於耦合電感的存在,計算的電感值為上述值的一半,為50μh。但成本低些。

pcb注意事項

由於為高頻dc-dc變換,因此,pcb佈線很重要。區分功率地與訊號地的匯流點,驅動ic與mosfet的關係,輸入濾波與輸出濾波的位置等。同時注意分離元件及貼片元件的位置關係。

還要考慮散熱器的形狀及散熱面積。

關鍵元器件的選擇及說明

功率mosfet的選擇:n-fet,極低導通電阻,低門極驅動電壓:5v—7v,符合pwm-ic要求,to-220ab封裝,100v/85a,結溫175℃。

型號為vishay:sup85n10-10。

肖特基整流二極體的選擇:型號為mbr20100ct,封裝為to-220ab,100v/20a,正向壓降低。

輸入、輸出濾波電解電容可由計算公式或經驗選取。c8、c9可由計算公式或實驗選擇。取樣電阻的引數可由計算及實驗來確定。

樣機除錯中發現的問題及解決方法

按照上述原理及計算引數進行pcb的焊接及除錯。發現問題如下:

由lm3478晶元的特點及典型的epic應用來看,比較適合功率等級20w以下的dc-dc變換器。而此處設計成50wdc-dc變換器,發現pwm驅動mosfet有些困難,波形畸變及mosfet功耗大,解決的方法為:在ic的6腳與mosfet的柵極之間加入一級驅動放大,即由npn和pnp對管組成的放大級。

l3、l4均取100μh的電感量在工作時發現:在輸出輕載或空載時,輸出紋波過大。經試驗發現由電感l3引起的,根據經驗及分析將l3的電感量降為50mh即可解決問題。

ic的2引腳comp對地的補償引數c3、c4、r2:若按典型引數試驗,發現樣機有雜訊且不穩定,經試驗將c2去掉,結果沒有雜訊且工作穩定。

取樣電阻r7:由於ic的特點使取樣電阻的閥值很低,而且該dc-dc的功率相對較大,致使取樣電阻r7的選取比較困難,為了降低成本選用微阻抗電阻。

結語通過對該dc-dc變換器的拓撲結構及驅動ic的選擇,設計出了滿足技術要求的50w介面卡,雖然除錯過程中遇到了一些問題,經過試驗分析得到了解決。從實際應用來看,用此原理設計出50w的電源已經很有優勢了。下一步還要考慮emc及安規問題來滿足國際市場的要求。

實驗表明,該介面卡可用於寬輸入電壓範圍的dc-dc變換器及對蓄電池充電的場合。

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