功耗延時積（pdp）:功耗和延時的乘積一般為常數nmos和pmos閾值電壓和體效應係數均分別為正值和負值若不變，mosfet隨著的增大進入的所處的狀態：
長溝道器件：亞閾值區（弱反型）— 線性區—飽和區（強反型）短溝道器件：亞閾值區（弱反型）— 線性區 — 速度飽和區 — 飽和區（強反型）
在飽和區長溝道器件的與成平方關係，短溝道器件與成線性關係中點電壓，，又，
保證之比為0.5才能保證中點電壓在處，達到對稱反相器設計的要求上公升時間是從0.1到0.
9的時間，最大訊號頻率上公升和下降延時用來描述輸入輸出本身的邏輯改變的快慢，傳播延時則是輸入邏輯傳播到輸出邏輯的時間，是輸入和輸出0.5翻轉點時間的延遲平均值
n輸入與非門n輸入或非門
用m倍尺寸的n輸入nand可以寫成：
用m倍尺寸的n輸入nor可以寫成：
邏輯努力：電容對參照電容的比值，
電氣努力：輸出電容與輸入電容的比值
路徑延時d：各個分支歸一化延時的和，
路徑邏輯努力： 路徑的電氣努力：
路徑努力：
分支努力： =
路徑分支努力： 修正
數字積體電路實驗板的製作
數字積體電路實驗板是一種學生用來進行數字積體電路基本實驗的學具。它借鑑麵包板插接電路的特點，並帶有基本數字部件，能簡化實驗步驟，突出實驗主體，提高插接電路的可靠性 速效性。是學生學習數位電路的一款很好的工具。一 數字積體電路實驗板電路 下圖為數字積體電路實驗板電路，它由操作平台和工具包兩大部分組成。...
積體電路基礎知識
什麼是晶圓 1 晶圓的主要材料是單晶矽 2 晶圓是在超淨化間裡通過各種工藝流程製造出來的圓形薄片 3 晶圓按其直徑分為4英吋 5英吋 6英吋 8英吋 12英吋。4 晶圓越大,同一圓片上可生產的單顆晶元就多。依據晶元尺寸大小，乙個8英吋晶圓上一般有5000 6000顆晶元。什麼是晶元 1 晶元 是在矽...
數位電路基礎知識
一 填空題 1 模擬訊號是在時間上和數值上都是變化的訊號。2 脈衝訊號則是指極短時間內的電訊號。3 廣義地凡是規律變化的，帶有突變特點的電訊號均稱脈衝。4 數碼訊號是指在時間和數值上都是的訊號，是脈衝訊號的一種。5 常見的脈衝波形有，矩形波 三角波 階梯波。6 乙個脈衝的引數主要有 tr tp t等...