一、 定義：
嚴格意義上講，電晶體泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，包括各種半導體材料製成的二極體、三極體、場效電晶體、可控矽等。電晶體有時多指晶體三極體。
電晶體主要分為兩大類：雙極性電晶體（bjt）和場效應電晶體（fet）。
電晶體有三個極；雙極性電晶體的三個極，分別由n型跟p型組成發射極（emitter）、基極(base) 和集電極（collector）;場效應電晶體的三個極，分別是源極（source）、柵極（gate）和漏極（drain）。
電晶體因為有三種極性，所以也有三種的使用方式，分別是發射極接地（又稱共射放大、ce組態）、基極接地（又稱共基放大、cb組態）和集電極接地（又稱共集放大、cc組態、發射極隨耦器）。
二、 歷史：
2023年12月，美國貝爾實驗室的肖克利、巴丁和布拉頓組成的研究小組，研製出一種點接觸型的鍺電晶體。電晶體的問世，是20世紀的一項重大發明，是微電子革命的先聲。電晶體出現後，人們就能用乙個小巧的、消耗功率低的電子器件，來代替體積大、功率消耗大的電子管了。
電晶體的發明又為後來積體電路的降生吹響了號角。
通訊系統已開始應用半導體材料。20世紀上半葉，在無線電愛好者中廣泛流行的礦石收音機，就採用礦石這種半導體材料進行檢波。半導體的電學特性也在**系統中得到了應用。
電晶體的發明，最早可以追溯到2023年，當時工程師利蓮費爾德就已經取得一種電晶體的專利。但是，限於當時的技術水平，製造這種器件的材料達不到足夠的純度，而使這種電晶體無法製造出來。
由於電子管處理高頻訊號的效果不理想，人們就設法改進礦石收音機中所用的礦石觸鬚式檢波器。在這種檢波器裡，有一根與礦石（半導體）表面相接觸的金屬絲（像頭髮一樣細且能形成檢波接點），它既能讓訊號電流沿乙個方向流動，又能阻止訊號電流朝相反方向流動。在第二次世界大戰爆發前夕，貝爾實驗室在尋找比早期使用的方鉛礦晶體效能更好的檢波材料時，發現摻有某種極微量雜質的鍺晶體的效能不僅優於礦石晶體，而且在某些方面比電子管整流器還要好。
在第二次世界大戰期間，不少實驗室在有關矽和鍺材料的製造和理論研究方面，也取得了不少成績，這就為電晶體的發明奠定了基礎。
為了克服電子管的侷限性，第二次世界大戰結束後，貝爾實驗室加緊了對固體電子器件的基礎研究。肖克萊等人決定集中研究矽、鍺等半導體材料，**用半導體材料製作放大器件的可能性。
2023年秋天，貝爾實驗室成立了以肖克萊為首的半導體研究小組，成員有布拉頓、巴丁等人。布拉頓早在2023年就開始在這個實驗室工作，長期從事半導體的研究，積累了豐富的經驗。他們經過一系列的實驗和觀察，逐步認識到半導體中電流放大效應產生的原因。
布拉頓發現，在鍺片的底面接上電極，在另一面插上細針並通上電流，然後讓另一根細針盡量靠近它，並通上微弱的電流，這樣就會使原來的電流產生很大的變化。微弱電流少量的變化，會對另外的電流產生很大的影響，這就是「放大」作用。
布拉頓等人，還想出有效的辦法，來實現這種放大效應。他們在發射極和基極之間輸入乙個弱訊號，在集電極和基極之間的輸出端，就放大為乙個強訊號了。在現代電子產品中，上述晶體三極體的放大效應得到廣泛的應用。
巴丁和布拉頓最初製成的固體器件的放大倍數為50左右。不久之後，他們利用兩個靠得很近(相距0.05公釐)的觸鬚接點，來代替金箔接點，製造了「點接觸型電晶體」。
2023年12月，這個世界上最早的實用半導體器件終於問世了，在首次試驗時，它能把音訊訊號放大100倍，它的外形比火柴棍短，但要粗一些。
在為這種器件命名時，布拉頓想到它的電阻變換特性，即它是靠一種從「低電阻輸入」到「高電阻輸出」的轉移電流來工作的，於是取名為trans-resister(轉換電阻)，後來縮寫為transistor，中文譯名就是電晶體。
由於點接觸型電晶體製造工藝複雜，致使許多產品出現故障，它還存在雜訊大、在功率大時難於控制、適用範圍窄等缺點。為了克服這些缺點，肖克萊提出了用一種「整流結」來代替金屬半導體接點的大膽設想。半導體研究小組又提出了這種半導體器件的工作原理。
2023年，第一只「pn結型電晶體」問世了，它的效能與肖克萊原來設想的完全一致。今天的電晶體，大部分仍是這種pn結型電晶體。(所謂pn結就是p型和n型的結合處，p型多空穴，n型多電子。
)2023年，肖克利、巴丁、布拉頓三人，因發明電晶體同時榮獲諾貝爾物理學獎。
2023年12月16日：威廉·邵克雷（william shockley）、約翰·巴頓（john bardeen）、
沃特·布拉頓（walter brattain）成功地在貝爾實驗室製造出第乙個電晶體。
2023年：威廉·邵克雷開發出雙極電晶體（bipolar junction
transistor），這是現在通行的標準的電晶體。
2023年：第乙個採用電晶體的商業化裝置投入市場，即助聽器。
2023年10月18日：第一台電晶體收音機regency tr1投入市場，僅包含4只鍺電晶體。
2023年4月25日：第乙個積體電路專利被授予羅伯特·諾伊斯（robert noyce）。最初的電晶體對收音機和**而言已經足夠，但是新的電子裝置要求規格更小的電晶體，即積體電路。
2023年：摩爾定律誕生。當時，戈登·摩爾（gordon moore）**，未來乙個晶元上的電晶體數量大約每18個月翻一倍(至今依然基本適用)，摩爾定律在electronics magazine雜誌一篇文章中公布。
2023年7月：羅伯特·諾伊斯和戈登·摩爾從仙童（fairchild）半導體公司辭職，創立了乙個新的企業，即英特爾公司，英文名intel為「整合電子裝置（integrated electronics）」的縮寫。
2023年：英特爾成功開發出第乙個pmos矽柵電晶體技術。這些電晶體繼續使用傳統的二氧化矽柵介質，但是引入了新的多晶矽柵電極。
2023年：英特爾發布了其第乙個微處理器4004。4004規格為1/8英吋 x 1/16英吋，包含僅2000多個電晶體，採用英特爾10微公尺pmos技術生產。
2023年，英特爾發布了第乙個8位處理器8008。
2023年，英特爾發布了第一款16位處理器8086。含有2.9萬個電晶體。
2023年：英特爾標誌性地把英特爾8088微處理器銷售給ibm新的個人電腦事業部，武裝了ibm新產品ibm pc的中樞大腦。16位8088處理器為8086的改進版，含有2.
9萬個電晶體，執行頻率為5mhz、8mhz和10mhz。8088的成功推動英特爾進入了財富(forture) 500強企業排名，《財富(forture)》雜誌將英特爾公司評為「70年代商業奇蹟之一（business triumphs of the seventies）」。
2023年：286微處理器(全稱80286，意為「第二代8086」)推出，提出了指令集概念，即現在的x86指令集，可執行為英特爾前一代產品所編寫的所有軟體。286處理器使用了13400個電晶體，執行頻率為6mhz、8mhz、10mhz和12.
5mhz。
2023年：英特爾386微處理器問世，含有27.5萬個電晶體，是最初4004電晶體數量的100多倍。386是32位晶元，具備多工處理能力，即它可在同一時間執行多個程式。
2023年：英特爾·奔騰·處理器問世，含有3百萬個電晶體，採用英特爾0.8微公尺製程技術生產。
2023年2月：英特爾發布了奔騰·iii處理器。奔騰iii是1x1正方形矽，含有950萬個電晶體，採用英特爾0.25微公尺製程技術生產。
2023年1月：英特爾奔騰4處理器推出，高效能桌面台式電腦由此可實現每秒鐘22億個週期運算。它採用英特爾0.13微公尺製程技術生產，含有5500萬個電晶體。
2023年8月13日：英特爾透露了90奈米製程技術的若干技術突破，包括高效能、低功耗電晶體，應變矽，高速銅質接頭和新型低-k介質材料。這是業內首次在生產中採用應變矽。
2023年3月12日：針對筆記本的英特爾·迅馳·移動技術平台誕生，包括了英特爾最新的移動處理器「英特爾奔騰m處理器」。該處理器基於全新的移動優化微體系架構，採用英特爾0.
13微公尺製程技術生產，包含7700萬個電晶體。
2023年5月26日：英特爾第乙個主流雙核處理器「英特爾奔騰d處理器」誕生，含有2.3億個電晶體，採用英特爾領先的90奈米製程技術生產。
2023年7月18日：英特爾安騰2雙核處理器發布，採用世界最複雜的產品設計，含有2.7億個電晶體。該處理器採用英特爾90奈米製程技術生產。
2023年7月27日：英特爾·酷睿2雙核處理器誕生。該處理器含有2.9億多個電晶體，採用英特爾65奈米製程技術在世界最先進的幾個實驗室生產。
2023年9月26日：英特爾宣布，超過15種45奈米製程產品正在開發，面向台式電腦、筆記本和企業級計算市場，研發**penryn，是從英特爾酷睿微體系架構派生而出。
2023年1月8日：為擴大四核pc向主流買家的銷售，英特爾發布了針對桌面電腦的65奈米製程英特爾酷睿2四核處理器和另外兩款四核伺服器處理器。英特爾酷睿2四核處理器含有5.
8億多個電晶體。
2023年1月29日：英特爾公布採用突破性的電晶體材料即高-k柵介質和金屬柵極。英特爾將採用這些材料在公司下一代處理器——英特爾酷睿2雙核、「牆」和開關「門」，研發**penryn。
2023年11月，nvidia發布全新的gf110核心，含30億個電晶體，採用先進的40奈米工藝製造。
2023年05月05 日：英特爾成功開發世界首個3d電晶體，稱為tri-gate。除了英特爾將3d電晶體應用於22奈米工藝之後，三星，globalfoundries，台積電和台聯電都計畫將類似於intel的3d電晶體技術應用到14奈米節點上。
三、 優越性：
同電子管相比，電晶體具有諸多優越性：
構件沒有消耗
無論多麼優良的電子管，都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由於技術上的原因，電晶體製作之初也存在同樣的問題。隨著材料製作上的進步以及多方面的改善，電晶體的壽命一般比電子管長100到1000倍，稱得起永久性器件的美名。
程式控制單結電晶體簡介
程式控制單結電晶體 put 應用及原理 程式控制單結電晶體put programmable uniguction tr ansistor 又稱可程式設計單結電晶體或可調單結電晶體，程式控制單結電晶體實質上是乙個n極門控閘流體的功能，但因它與單結電晶體的用途相近，故納入單結管之列。它與單結電晶體也有重...
電晶體基礎知識
目前市面上常見的是國外的電晶體，如1n4001 第乙個1表示是乙個pn結的二極體，第二部分n表示美國電子工業協會的，後面的就是序列號，序列號數字越大，產品越新。而日本的二極體型號以1s開頭，後面的數字不用我說了，和美國的一樣。二極體引數很重要，它有額定工作電流，最高反向電壓，反向飽和電流，最高工作頻...
電晶體發明的故事
收錄機 電視機，還有電腦，這些現代人不可缺少的電子產品，都和美國人巴丁的名字連在一起，因為巴丁發明了電晶體，才使這些電子產品的出現有了可能。巴丁 1908 生於美國，少年時代就很用功，16歲考上大學，特別喜歡物理。早年他和另外兩名科學家肖克萊和布拉坦一起，共同研究半導體鍺和矽的物理性質。在一次實驗中...