一、絕緣柵場效電晶體(igfet)
1.增強型nmos管
s：source 源極，d：drain 漏極，g：gate 柵極，b：base 襯底，在p型襯底擴散上2個n+區，p型表面加sio2絕緣層，在n+區加鋁線引出電極。
2.增強型pmos管
在n型襯底上擴散上2個p+區，p型表面加sio2絕緣層，在二個p+區加鋁線引出電極。pmos與nmos管的工作原理完全相同，只是電流和電壓方向不同。
3.增強型nmos管的工作原理正常工作時外加電源電壓的配置：
(1)vgs=0, vds=0：漏源間是兩個背靠背串聯的pn結，所以d-s間不可能有電流流過，即id≈0。
(2)當vgs＞0，vds=0時：d-s之間便開始形成導電溝道。 開始形成導電溝道所需的最小電壓稱為開啟電壓vgs(th)(習慣上常表示為vt)。
溝道形成過程作如下解釋：此時，在柵極與襯底之間產生乙個垂直電場(方向為由柵極指向襯底)，它使漏-源之間的p型矽表面感應出電子層(反型層)使兩個n+區溝通，形成n型導電溝道。如果，此時再加上vds電壓，將會產生漏極電流id。
當vgs＝0時沒有導電溝道，而當vgs 增強到＞vt時才形成溝道，所以稱為增強型mos管。並且vgs越大，感應電子層越厚，導電溝道越厚，等效溝道電阻越小，id越大。
(3)當vgs>vt，vds>0後， 漏-源電壓vds產生橫向電場：由於溝道電阻的存在，id沿溝道方向所產生的電壓降使溝道上的電場產生不均勻分布。近s端電壓差較高，為vgs；近d端電壓差較低，為vgd＝vgs-vds，所以溝道的形狀呈楔形分布。
1)當vds較小時：vds對導電溝道的影響不大，溝道主要受vgs控制， 所以vgs為定值時，溝道電阻保持不變，id隨vds 增加而線性增加。此時，柵漏間的電壓大於開啟電壓，溝道尚未夾斷，。
2)當vds增加到vgs-vds＝vt時(即vds＝vgs-vt)：柵漏電壓為開啟電壓時，漏極端的感應層消失，溝道被夾斷，稱為「預夾斷」。
3)當vds再增加時(即vds＞vgs-vt或vgd=vgs-vds 伏安特性與電流方程：
(1) 增強型nmos管的轉移特性：在一定vds下，柵-源電壓vgs與漏極電流id之間的關係：
ido是vgs=2vt時的漏極電流。
(2) 輸出特性(漏極特性) 表示漏極電流id漏-源電壓vds之間的關係：。
與三極體的特性相似，也可分為3個區：可變電阻區，放大區(恆流區、飽和區)， 截止區(夾斷區)。可變電阻區管子導通，但溝道尚未預夾斷，即滿足的條件為：。
在可變電阻區id僅受vgs的控制，而且隨vds增大而線性增大。可模擬為受vgs控制的壓控電阻rds，。放大區(溝道被預夾斷後)，又稱恆流區、飽和區。
條件是：。特徵是id主要受vgs控制，與vds幾乎無關，表現為較好的恆流特性。 夾斷區又稱截止區，管子沒有導電溝道( vgs＜vt )時的狀態，。
4.耗盡型nmos管在製造過程中，人為地在柵極下方的sio2絕緣層中埋入了大量的k+(鉀)或na+(鈉)等正離子 ；vgs=0，靠正離子作用，使p型襯底表面感應出n型反型層，將兩個n+區連通，形成原始的n型導電溝道；vds一定，外加正柵壓(vgs＞0)，導電溝道變厚，溝道等效電阻下降，漏極電流id增大； 外加負柵壓vgs＜0)時，溝道變薄，溝道電阻增大，id減小；vgs負到某一定值vgs(off)(常以vp表示，稱為夾斷電壓)，導電溝道消失，整個溝道被夾斷，id≈0，管子截止 。耗盡型nmos的伏安特性：
放大區的電流方程：，idss為飽和漏極電流，是vgs=0時耗盡型mos管的漏極電流。
二、結型場效電晶體(jfet) 結構與符號：
在n區兩側擴散兩個p＋區，形成兩個pn結。兩個p＋區相連，引出柵極g。n體的上下兩端分別引出漏極d和源極s。導電原理：
(1)vgs＝0時，n型棒體導電溝道最寬(n型區)。有了vds後，溝道中的電流最大。
(2)vgs＜0時，耗盡層加寬(主要向溝道一測加寬)，並向溝道中間延伸，溝道變窄。當vgs＜vp(稱為夾斷電壓)時，二個耗盡層增大到相遇，溝道消失，這時稱溝道夾斷，溝道中的載流子被耗盡。若有vds電壓時，溝道電流也為零。
所以屬於耗盡型fet，原理和特性與耗盡型mosfet相似。
所不同的是jfet正常工作時，兩個pn結必須反偏，如對n溝道jfet，要求vgs≤0。
加上負vgs電壓和vds電壓以後，vgd的負壓比vgs大，所以，二個反偏pn結的空間電荷區變得上寬下窄，使溝道形成楔形。
jfet通過vgs改變半導體內耗盡層厚度(溝道的截面積)控制id，稱為體內場效應器件；mosfet主要通過改變襯底表層溝道的厚度來控制id，稱為表面場效應器件。 jfet的伏安特性(以n溝道jfet為例)：伏安特性曲線和電流方程與耗盡型mosfet相似。
但vgs必定要反向偏置。
三、場效電晶體的主要引數
1.直流引數開啟電壓vt： 增強型管的引數；夾斷電壓vp：
耗盡型管的引數；飽和漏極電流idss： 指耗盡型管在vgs=0時的漏極電流；輸入電阻 rgs(dc)：因ig=0，所以輸入電阻很大。
jfet大於107ω，mos管大於1012ω。
2.交流引數低頻跨導(互導)gm：，跨導gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力，且與工作點有關，是轉移特性曲線上過q點切線的斜率。
gm的單位是ms；交流輸出電阻rds：，rds反映了漏源電壓對漏極電流的影響程度，在恆流區內，是輸出特性曲線上過q點的切線斜率的倒數。其值一般為若幾十kω。
3.極限引數最大漏-源電壓v(br)ds ：漏極附近發生雪崩擊穿時的vds；最大柵-源電壓v(br)gs ：
柵極與源極間pn結的反向擊穿電壓；最大耗散功率pdm：同三極體的pcm相似，當超過pdm時，管子可能燒壞。
場效電晶體的結構特性與引數
一 絕緣柵場效電晶體 igfet 1.增強型nmos管 s source 源極，d drain 漏極，g gate 柵極，b base 襯底，在p型襯底擴散上2個n 區，p型表面加sio2絕緣層，在n 區加鋁線引出電極。2.增強型pmos管 在n型襯底上擴散上2個p 區，p型表面加sio2絕緣層，在...
場效電晶體總結
一 n溝道emos場效電晶體 1 結構 2 工作原理 工作條件 pn結必須反偏 含零偏 源極一般與襯底相連，所以vds必須為正值。工作過程 1 溝道的形成 vgs 0 指向襯底的電場 吸引電子,排斥空穴 空間電荷 b圖 vgs 電子薄層 n nn 導電溝道 n c圖 開始形成溝道的vgs為開啟電壓 ...
場效電晶體詳細
一 場效管的作用 場效管和三極體一樣都能實現訊號的控制和放大，但它與三極體的工作原理不一樣 場效管也有三隻腳，分別是控制極柵極 g極 源極 s極 漏極 d極 場效管與三極體三隻引腳的對應關係 柵極 g 對應基極 b 源極 s 對應發射極 e 漏極 d 對應集電極 c 二 場效管的分類 主機板中的場效...