材料物理複習一

2021-03-03 21:22:42 字數 1142 閱讀 1756

複習資料一

費公尺面:能量為費公尺能的等能面

晶體:原子(或分子)在三維空間作有序規則的週期性重複排列的材料。

面缺陷:指在兩個方向上的尺寸都很大,另乙個方向上尺寸很小的點陣缺陷,也稱二維缺陷。

共析轉變:指由乙個固相同時生成兩個新的固相的相變。

菲克(擴散)第一定律:在穩態擴散條件下,擴散通量與截面處的體積濃度梯度成正比,擴散方向與濃度梯度方向相反。

超導現象:某些導體在溫度低於一定溫度時電阻變為零的現象。

熱電勢:導體或半導體兩端有溫差,則兩端存在電勢差,即熱電勢。

磁化率:單位磁場強度可引起的材料的磁化強度。

熱流密度:定義單位時間內通過材料垂直於導熱方向的單位截面積的熱量為能(熱)流密度,,以j表示。

應力:指材料單位截面積所受的附加內力,數值上等於單位截面積上所受的外力。

何為k空間?k空間中的(2,2,2)和(1,1,3)兩點哪個代表的能級能量高?(6分)

k空間:取波數向量k為單位向量建立乙個座標系統,他在正交座標系的投影分別為kx、ky、kz,這樣建立的空間稱為k空間。

22+22+2212+12+32,故(2,2,2)比(1,1,3)高。

什麼是點陣引數(晶格常數)?正方晶系和立方晶系的空間點陣特徵是什麼?(6分)

晶胞的三個稜邊長abc和晶軸xyz間的夾角。 正方晶系:a=bc,===90°(如-sn,ti2o) 立方晶系:a=b=c,===90°(如fe,cr,cu,ag,au)

4、點缺陷對效能有什麼影響?

(1)空位濃度公升高,導體的電阻公升高。(2)空位引起體積增加、密度減小。(3)輻照損傷,即用電子、中字、質子、α粒子等高能粒子照射材料,在材料中匯入大量空位和間隙原子,引起材料損傷。

5、比較bain模型、k-s模型、g-t模型在描述描述馬氏體轉變機制的成功和不足之處。

bain模型成功的解釋了馬氏體轉變的點陣變化和母相、新相的位相關係。但該模型不能解釋巨集觀切變和慣習面位不畸變面的現象。

k-s模型不僅能夠解釋點陣結構的變化和k-s位相關係,還能夠解釋浮凸的產生。但按這一模型計算出的浮凸大小與實測值相差很大。另外按此模型慣習面應為(111)γ ,這不能解釋一些合金中觀察到的(225)γ和(259)γ的慣習面。

g-t模型可比較圓滿的解釋馬氏體轉變的表面浮凸、慣習面、位向關係、亞結構等現象,但不能解釋慣習面為不畸變面。

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