之前玩了一下ds18b20，但一直沒有總結，忽然有種總結的衝動，所以就寫了這些。
以下的這些只是我個人對部分文件的理解，水平不夠，難免會有誤，請各位指正，
一、 初始化，如圖一：
資料線拉低至少480us後再將其拉高，大約等待15~60us，就會收到60~240us的低電平的存在脈衝，其後資料線會恢復被拉高狀態，在資料線被拉高到初始化結束經過的時間至少為480us，以下是我根據對初始化時序寫的子程式，用的是51：
#include
#define uchar unsigned char
#define uint unsigned int
void delay1(uint z)//延時子程式
void reset()
其實這個子程式並沒考慮到干擾，因為假設在初始化過程有低電平脈衝的干擾，那麼即使ds18b20沒有傳送低電平，也會認為初始化成功。
二、 寫時隙
（1）寫1時隙，如上右圖：主控器將資料線拉低至少1us，並在拉低後的15us內再將其拉高，整個過程大於60us，子程式如下
uchar bit1_write18b20()
（2）寫0時隙，如上左圖，主控器將資料線拉低至少60us後將其拉高，子程式如下：
uchar bit0_write18b20()
三、 讀時隙
我發現有很多人被時序圖的陰影部分嚇到了，其實這表示資料線的在這個時間段狀態不確定，整個時序圖的意思是主控制器將資料線拉高至少1us後，再將其拉低，在拉低後15us內的資料有效，整個時隙時間要大於60us.
雖然pdf中，用兩個時序圖分別表示讀0時隙和讀1時隙，實際上讀一位數的子程式只要乙個，資料線拉低後1us，將資料線拉高，在15us內儲存資料，再延時，使其滿足總時間大於60us，下面給個例子：
uchar bit_read18b20(void)
四、 我寫的寫、讀乙個位元組數子程式：
/*寫一位元組數*/
void byte_write18b20(uint w)
}/*讀一位元組*/
uchar byte_read18b20(void)
return(value);
}五、溫度轉換和顯示那些子程式有很多，在這裡就不重複了，接下來再寫幾個其他的子程式（單個ds18b20）：
（1）/*電源模式讀取*/
unsigned int readpower( )
（2）/*將快速暫存暫存器的th,tl和配置暫存器複製到eeprom*/
void copyram()
說明：這個指令與write scratchpad(4eh)指令結合可以將所要設定的溫度上下限值寫入ds18b20中的eeprom中，實現斷電後所設定的數值仍然儲存，可已通過這種方式做乙個可報警的溫度計，下面給個例子：
void send(uchar th,uchartl)//將要寫的溫度上下限值存入eeprom
（3）讀單個ds18b20的序列號子程式
uint a[7];
uint b[7];
void num_read（）
}後記：
對於ds18b20，有一點遺憾的是alarm search（ech）指令並沒有試出來，據說是當ds18b20的溫度超過所設定的溫度範圍時，會返回唯一的id即序列號，但無論我怎麼弄，讀取的數值各個位都是一，也有可能是我只用乙個ds18b20的原因，過一段時間我會用幾個ds18b20再測試一次。
我覺得作為乙個微控制器菜鳥，只是修改別人的程式是不夠的，還要自己去學習怎樣寫程式去測試，現成的程式只能在必要的時候參考，還要在菜鳥階段，把必要的閱讀文件的能力掌握，不能依靠中文文件，在玩ds18b20時對這點體會很深，ds18b20的很多中文文件都有錯，例如在我看的乙份中文文件中有說ds18b20中有eeram，事實上eeram是ds1820帶有的，而ds18b20帶有的eeprom.。
qqiummo
2023年12月23日
我寫DS18B20總結
unsigned int n for n 0 n void chushihua dq 0 delay 600 送480us脈衝 根據時序 dq 1 delay 35 大約60us左右 這樣就完成了ds18b20的初始化工作。初始化之後要向資料埠dq寫資料，寫0或者是1 當主機匯流排從高電平拉到低電平...
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分享 u nsp c編寫的ds18b20驅動 本人寫的乙個ds18b20的驅動程式，這是我寫的第乙個時序程式，厚臉皮地拿出來與大家 分享 希望大家支援。不足之處還望大家不吝賜教。謝謝！工程名稱 ds18b20 功能描述 溫度感測器 涉及的庫 組成檔案 硬體連線 ioa15 s18b20的dq腳 ed...
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