一般稱獲得高溫的裝置為高溫爐。高溫爐就用途不同可分為工業爐和實驗用爐。根據加熱方式的不同，電爐可大致分為以下幾類。
(1)電阻爐
(2)感應爐
(3)電弧爐和等離子爐
(4)電子束爐
(5)利用熱輻射的加熱裝置
一般稱獲得高溫的裝置為高溫爐。高溫爐就用途不同可分為工業爐和實驗用爐。根據加熱方式的不同，電爐可大致分為以下幾類。
(1)電阻爐
(2)感應爐
(3)電弧爐和等離子爐
(4)電子束爐
(5)利用熱輻射的加熱裝置
通常獲得低溫的途徑有
相變製冷、
熱電製冷、
等焓與等熵絕熱膨脹等
低溫控制有兩種，一是恆溫冷浴，二是低溫恆溫器。
在低真空條件下，利用直流電壓(dc)、交流電壓(ac)、射頻(rf)、微波(mv)或電子迴旋共振(ecr)等方法實現氣體輝光放電在沉積反應器中產生等離子體。由於等離子體中正離子、電子和中性反應分子相互碰撞，可以大大降低沉積溫度，這樣就可以拓寬cvd技術的應用範圍。
化學氣相沉積法是一種氣相生長技術，廣泛用於高能物質的製備、合成新晶體及沉積多種單晶態、多晶態和非晶態無機功能薄膜材料。這種方法是利用氣態(蒸氣)物質在一熱固態表面的基體上進行化學反應，形成一層固態沉積物的過程，適宜在形狀複雜的基體上形成緻密而又厚度均勻的薄膜。它的裝置與其反應條件相關，由氣源控制部件、沉積反應室、加熱系統、氣體壓強控制和真空排氣系統等主要部分組成。
①沉澱反應如在氣固介面上發生時沉澱物在原固態底基物上包覆一層，不改變原固體底基物的形狀，這個特性也稱為保形性。
②採用cvd技術可以得到單一的無機合成物質，並以此作為原材料，製備出更多的產品，如超純多晶矽材料的製備。
③如果採用的某種基底材料，在沉積物達到一定厚度以後，很容易與基底分離，這樣就可以得到各種特定形狀的游離沉積物器具。碳化矽器皿和金剛石薄膜部件均可以用這種方式製造。
④在cvd技術中也可以沉積生成晶體或細粉狀的物質，可以用來生產超微粉體，在特定的工藝條件下，甚至可以生產奈米級的微細粉末。
材料科學導論複習題
a1 提拉法生長晶體需要滿足的基本條件 1.晶體 晶體加摻質 要到融化而不分解 2.晶體不得與坩堝或存在氣氛起化學反應 3.晶體的熔點必須低於坩堝熔點 4.必須使單晶的提拉速度與爐內的溫度梯度相匹配。2 固相反應通常包含的步驟 1 固體介面如原子或離子的跨過介面的擴散 2 原子規模的化學反應 3 新...
材料科學導論 A 卷答案
按用途可分為 結構複合材料與功能複合材料兩大類。結構複合材料指以承受載荷為主要目的，作為承力結構使用的複合材料。功能複合材料指具有除力學效能以外其他物理效能的複合材料，即具有各種電學效能 磁學效能 光學效能 熱學效能 聲學效能 摩擦效能 阻尼效能以及化學分離效能等的複合材料。以增強纖維型別分 碳纖維...
材料科學與工程導論試題
第二章材料科學與工程的四個基本要素 作業一第一部分填空題 10個空共10分，每空一分 1 材料科學與工程有四個基本要素，它們分別是 使用效能 材料的性質 結構與成份和合成與加工。2 材料性質的表述包括力學性質 物理性質和化學性質。3 強度可以用彈性極限 屈服強度和比例界限等來表徵。4 三類主要的材料...