LED電極結構對LED特性的影響

2021-09-13 13:34:39 字數 4077 閱讀 5150

第三章心得體會38

第一章緒論

1.1引言——led的概述

led(light emitting diode),中文含義是發光二極體,是一種能夠將電能轉化為可見光的固態的半導體器件,可以直接把電轉化為光,具有體積小、耗電量低、使用壽命長、亮度高、熱量低、環保、耐用等特點。主要應用於各種室內、戶外顯示屏,汽車內部的儀表板、剎車燈、尾燈,電子手錶,手機等。

led產業鏈主要包括4個部分:led外延片、led晶元製造、led器件封裝和產品應用,此外,還包括相關配套產業。

一般來說,外延屬於led產業鏈的上游,晶元屬於中游,封裝和應用屬於下游。上游屬於資本、技術密集型的領域,而中游和下游的進入門檻則相對較低

led 製作材料通常為砷、磷、鎵等ⅲ - ⅴ族元素,製作過程包括上游的晶圓製作、磊晶成長,中游的擴散製程、金屬蒸鍍、晶粒製作,以及下游的產品封裝及應用市場等。目前,國內市場主要是下游產品封裝與應用,欠缺的是上游核心技術,這也是正等待我們去研究、努力攻克的課題。

1.2 gan led的介紹及其發展前景.

所謂led,就是發光二極體,顧名思義發光二極體是一種可以將電能轉化為光能的電子器件,具有二極體的特性。基本結構為一塊電致發光的半導體模組(如圖1.1),封裝在環氧樹脂中,通過針腳作為正負電極並起到支撐作用。

led的心臟是乙個半導體的晶元(如圖1.2),晶元的一端附在乙個支架上,一端是負極,另一端連線電源的正極,使整個晶元被環氧樹脂封裝起來。半導體晶元由兩部分組成,一部分是p型半導體,在它裡面空穴佔主導地位,另一端是n型半導體,在這邊主要是電子。

但這兩種半導體連線起來的時候,它們之間就形成乙個「p-n結」。當電流通過導線作用於這個晶元的時候,電子就會被推向p區,在p區里電子跟空穴復合,然後就會以光子的形式發出能量,這就是led發光的原理。而光的波長也就是光的顏色,是由形成p-n結的材料決定的。

此外,發光二極體的結構主要由pn結晶元,電極和光學系統組成。

圖1.1 led構造圖圖1.2 貼片led

1.led的發展

近年來,世界上一些經濟發達國家圍繞led的研製展開了激烈的技術競賽。美國從2023年起投資5億美元實施「國家半導體照明計畫」,歐盟也在2023年7月宣布啟動類似的「彩虹計畫」。我國科技部在「863」計畫的支援下,2023年6月份首次提出發展半導體照明計畫但是,由於投入在技術和推廣上的成本居高不下,使得令萬千消費者翹首以待的led照明產品一直可望而不可及,遲遲未能揭開其神秘的貴族面紗!

經過近幾年的發展,led的成本已有所下降,慢慢進入日常生活中。

隨著全球led市場需求的進一步加大,未來我國led產業發展面臨巨大機遇。然而,目前led核心技術和專利基本被國外壟斷,國內企業在"快樂"中"痛苦"前行。

2023年,北京奧運會開幕式上,神奇的「畫卷」彩屏出自中國金立翔科技****;

2023年,國慶60周年閱兵式,天安門廣場上的巨幅彩屏出自中國利亞德電子科技****;

2023年,上海世博會開幕式上,1萬平公尺的半導體發光二極體(light emitting diode,簡稱led)大螢幕出自中國銳拓顯示技術****……

作為目前全球最受矚目的新一代光源,led因其高亮度、低熱量、長壽命、無毒、可**再利用等優點,被稱為是21世紀最有發展前景的綠色照明光源。我國的led產業起步於20世紀70年代,經過近40年的發展,現已形成上海、大連、南昌、廈門、深圳、揚州和石家莊7個國家半導體照明工程產業化基地,產品廣泛應用於景觀照明和普通照明領域,我國已成為世界第一大照明電器生產國和第二大照明電器出口國。

2.led的優勢:

1.壽命非常長

2.led元件的體積非常小

3.led的發出的光線能量集中度很高

4.led響應時間非常快

5.led的發光指向性非常強

6.led使用低壓直流電即可驅動

7.能夠較好地控制發光光譜組成

8.可以通過控制半導體發光層半導體發光層半導體材料的禁止帶幅

9.顯色性高

1.2.3 led的發光原理:

在pn結的兩端加上正向偏置電壓後,空穴和自由電子相互移動形成內電場。隨後新注入的空穴和自由電子再重新復合,復合的同時以光子的形式釋放多餘的能量,這個能量就是led發出的光(如圖1.3)。

發光二極體 led (light emitting diode) 是利通過智慧型控制時發光絢麗多彩。用二極體內電子與空隙結合過程中能量轉換產生光的輸出。led可以發出多種色光,可以通過智慧型控制時發光絢麗多彩。

圖 1. 3 led發光原理

led是由ⅲ-ⅳ族化合物,如gaas(砷化鎵)、gap(磷化鎵)、gaasp(磷砷化鎵)等半導體製成的,其核心是pn結。因此它具有一般p-n結的i-n特性,即正嚮導通,反向截止、擊穿特性。此外,在一定條件下,它還具有發光特性。

在正向電壓下,電子由n區注入p區,空穴由p區注入n區。進入對方區域的少數載流子(少子)一部分與多數載流子(多子)復合而發光。

led的基本結構為一塊電致發光的半導體模組,封裝在環氧樹脂中,通過針腳作為正負電極並起到支撐作用。主要由pn結晶元、電極和光學系統組成。

實際上led,就是發光二極體(light emitting diode)。其發光過程包括三部分:正向偏壓下的載流子注入、復合輻射和光能傳輸。

微小的半導體晶元被封裝在潔淨的環氧樹脂物中,當電子經過該晶元時,帶負電的電子移動到帶正電的空穴區域並與之復合,電子和空穴消失的同時產生光子。電子和空穴之間的能量(帶隙)越大,產生的光子的能量就越高。光子的能量反過來與光的顏色對應,可見光的頻譜範圍內,藍色光、紫色光攜帶的能量最多,桔色光、紅色光攜帶的能量最少。

由於不同的材料具有不同的帶隙,從而能夠發出不同顏色的光。

led照明光源的主流將是高亮度的白光led。目前,已商品化的白光led多是二波長,即以藍光單晶元加上yag黃色螢光粉混合產生白光。未來較被看好的是三波長白光led,即以無機紫外光晶元加紅、藍、綠三顏色螢光粉混合產生白光,它將取代螢光燈、緊湊型節能螢光燈泡及led背光源等市場。

pn結(1)pn結的形成動畫演示

當p型半導體和n型半導體結合時,由於交介面處存在的載流子濃度差,於是電子和空穴都會從高濃度區域向低濃度區域擴散。我們知道,電子與空穴都是帶電的,其擴散的結果就導致了p區和n區原來的電中性被破壞。這樣,p區一側失去空穴剩下不能移動的負離子,n區一側失去電子而留下不能移動的正離子。

這些不能移動的帶電粒子就是空間電荷。在空間電荷集中在p區和n區交介面附近,形成了一很薄的空間電荷區,就是p-n結 。

在p區一側為負電荷,n區為正電荷,於是空間電荷區,便出現了由n到p的電場(如圖1.4)。這個電場是載流子擴散運動形成的,而不是外加電壓形成的,這便是內電場。

由於內電場的存在,使得p-n結處於動態平衡狀態(如圖1.5)。

圖1.4

圖1.5

當我們給p-n結乙個正向電壓,便改變了p-n結的動態平衡。注入的少數載流子(少子)與多數載流子(多子)復合時,便將多餘的能量以光的形式釋放出來,從而把電能直接轉換為光能。如果給pn結加反向電壓,少數載流子(少子)難以注入,故不發光。

利用注入式電發光原理製作的二極體就是我們常說得發光二極體,即led。在led得兩端加上正向電壓,電流從led陽極流向陰極時,半導體晶體就發出從紫外到紅外不同顏色的光線。調節電流,便可以調節光的強度。

(2)pn結最重要的特性:具有單向導電性動畫演示

可以通過改變電流可以變色,這樣可以通過調整材料的能帶結構和帶隙,便可以多色發光。

(1).電引數

幾種光所對應的順向電壓如圖1.6所示:

圖1.6 幾種光所對應的正向電壓

if 正向電流:

正向工作電流if:它是指發光二極體正常發光時的正向電流值。在實際使用中應根據需要選擇if在0.

6·ifs以下。以正常的壽命討論,通常標準 if 值設為 20 - 30ma ,瞬間(20ms)可增至100ma ;if 值增大:壽命縮短、vf 值增大、波長偏低、溫度上公升、亮度增大、角度不變。

vf:正向工作電壓:

正向工作電壓指正向電流流過led材料上所產生的電壓值。

vz:反向電壓:

反向電壓指逆向電流流過led材料上所產生的電壓值。

ir反向擊穿電流:

ir 是反映二極體的反向特性, ir 值太大說明 p/n 結特性不好,很快快被擊穿; ir 值太小或為說明二極體的反向很好;通常 ir 值較大時 vr 值相對會小, ir 值較小時 vr 值相對會大;r 的大小與晶元本身和封裝製程均有關係,製程主要體現在銀膠過多或側面沾膠,雙線材料焊線時焊偏,靜電亦會造成反向擊穿,使 ir 增大。

LED的結構及發光原理

led是英文light emitting diode 發光二極體 的縮寫,它的基本結構是一塊電致發光的半導體材料,置於乙個有引線的架子上,然後四周用環氧樹脂密封,起到保護內部芯線的作用,所以led的抗震效能好。發光二極體的核心部分是由 p型半導體和n型半導體組成的晶元,在p型半導體和n型半導體之間有...

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