單向可控矽工作原理

可控矽導通條件：一是可控矽陽極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備，可控矽才會處於導通狀態。

另外，可控矽一旦導通後，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，可控矽仍然導通。

可控矽關斷條件：降低或去掉加在可控矽陽極至陰極之間的正向電壓，使陽極電流小於最小維持電流以下。

二、單向可控矽的引腳區分

對可控矽的引腳區分，有的可從外形封裝加以判別，如外殼就為陽極，陰極引線比控制極引線長。從外形無法判斷的可控矽，可用萬用表r×100或r×1k擋，測量可控矽任意兩管腳間的正反向電阻，當萬用表指示低阻值（幾百歐至幾千歐的範圍）時，黑錶筆所接的是控制極g，紅錶筆所接的是陰極c，餘下的一只管腳為陽極a。

三、單向可控矽的效能檢測

可控矽***壞的判別可以從四個方面進行。第一是三個pn結應完好；第二是當陰極與陽極間電壓反向連線時能夠阻斷，不導通；第三是當控制極開路時，陽極與陰極間的電壓正向連線時也不導通；第四是給控制極加上正向電流，給陰極與陽極加正向電壓時，可控矽應當導通，把控制極電流去掉，仍處於導通狀態。

用萬用表的歐姆擋測量可控矽的極間電阻，就可對前三個方面的好壞進行判斷。具體方法是：用r×1k或r×10k擋測陰極與陽極之間的正反向電阻（控制極不接電壓），此兩個阻值均應很大。

電阻值越大，表明正反向漏電電流愈小。如果測得的阻值很低，或近於無窮大，說明可控矽已經擊穿短路或已經開路，此可控矽不能使用了。

用r×1k或r×10k擋測陽極與控制極之間的電阻，正反向測量阻值均應幾百千歐以上，若電阻值很小表明可控矽擊穿短路。

用r×1k或r×100擋，測控制極和陰極之間的pn結的正反向電阻在幾千歐左右，如出現正向阻值接近於零值或為無窮大，表明控制極與陰極之間的pn結已經損壞。反向阻值應很大，但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大於正向阻值。

萬用表選電阻r×1擋，將黑錶筆接陽極，紅錶筆仍接陰極，此時萬用表指標應不動。紅錶筆接陰極不動，黑錶筆在不脫開陽極的同時用表筆尖去瞬間短接控制極，此時萬用表電阻擋指標應向右偏轉，阻值讀數為10歐姆左右。如陽極接黑錶筆，陰極接紅錶筆時，萬用表指標發生偏轉，說明該單向可控矽已擊穿損壞。

四、可控矽的使用注意事項

選用可控矽的額定電壓時，應參考實際工作條件下的峰值電壓的大小，並留出一定的餘量。

1、選用可控矽的額定電流時，除了考慮通過元件的平均電流外，還應注意正常工作時導通角的大

小、散熱通風條件等因素。在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。

2、使用可控矽之前，應該用萬用表檢查可控矽是否良好。發現有短路或斷路現象時，應立即更換。

3、嚴禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。

4、電流為5a以上的可控矽要裝散熱器，並且保證所規定的冷卻條件。為保證散熱器與可控矽管心接觸良好，它們之間應塗上一薄層有機矽油或矽脂，以幫於良好的散熱。

5、按規定對主電路中的可控矽採用過壓及過流保護裝置。

6、要防止可控矽控制極的正向過載和反向擊穿。

雙向可控矽的工作原理

1.可控矽是p1n1p2n2四層三端結構元件，共有三個pn結，分析原理時，可以把它看作由乙個pnp管和乙個npn管所組成當陽極a加上正向電壓時，bg1和bg2管均處於放大狀態。此時，如果從控制極g輸入乙個正向觸發訊號，bg2便有基流ib2流過，經bg2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。

因為bg2的集電極直接與bg1的基極相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經bg1放大，於是bg1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到bg2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋迴圈的結果，兩個管子的電流劇增，可控矽使飽和導通。

由於bg1和bg2所構成的正反饋作用，所以一旦可控矽導通後，即使控制極g的電流消失了，可控矽仍然能夠維持導通狀態，由於觸發訊號只起觸發作用，沒有關斷功能，所以這種可控矽是不可關斷的。

由於可控矽只有導通和關斷兩種工作狀態，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉化

2,觸發導通在控制極g上加入正向電壓時（見圖5）因j3正偏，p2區的空穴時入n2區，n2區的電子進入p2區，形成觸發電流igt。在可控矽的內部正反饋作用（見圖2）的基礎上，加上igt的作用，使可控矽提前導通，導致圖3的伏安特性oa段左移，igt越大，特性左移越快。