使用mos管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮mos的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但並不是優秀的，作為正式的產品設計也是不允許的。
下面是我對mosfet及mosfet驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，非全部原創。包括mos管的介紹，特性，驅動以及應用電路。
1，mos管種類和結構
mosfet管是fet的一種（另一種是jfet），可以被製造成增強型或耗盡型，p溝道或n溝道共4種型別，但實際應用的只有增強型的n溝道mos管和增強型的p溝道mos管，所以通常提到nmos，或者pmos指的就是這兩種。
至於為什麼不使用耗盡型的mos管，不建議刨根問底。
對於這兩種增強型mos管，比較常用的是nmos。原因是導通電阻小，且容易製造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用nmos。下面的介紹中，也多以nmos為主。
mos管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由於製造工藝限制產生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，後邊再詳細介紹。
在mos管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有乙個寄生二極體。這個叫體二極體，在驅動感性負載（如馬達），這個二極體很重要。順便說一句，體二極體只在單個的mos管中存在，在積體電路晶元內部通常是沒有的。
2，mos管導通特性
導通的意思是作為開關，相當於開關閉合。
nmos的特性，vgs大於一定的值就會導通，適合用於源極接地時的情況（低端驅動），只要柵極電壓達到4v或10v就可以了。
pmos的特性，vgs小於一定的值就會導通，適合用於源極接vcc時的情況（高階驅動）。但是，雖然pmos可以很方便地用作高階驅動，但由於導通電阻大，**貴，替換種類少等原因，在高階驅動中，通常還是使用nmos。
3，mos開關管損失
不管是nmos還是pmos，導通後都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的mos管會減小導通損耗。現在的小功率mos管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。
mos在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。mos兩端的電壓有乙個下降的過程，流過的電流有乙個上公升的過程，在這段時間內，mos管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關損失。通常開關損失比導通損失大得多，而且開關頻率越快，損失也越大。
導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。縮短開關時間，可以減小每次導通時的損失；降低開關頻率，可以減小單位時間內的開關次數。這兩種辦法都可以減小開關損失。
4，mos管驅動
跟雙極性電晶體相比，一般認為使mos管導通不需要電流，只要gs電壓高於一定的值，就可以了。這個很容易做到，但是，我們還需要速度。
在mos管的結構中可以看到，在gs，gd之間存在寄生電容，而mos管的驅動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要乙個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設計mos管驅動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。
第二注意的是，普遍用於高階驅動的nmos，導通時需要是柵極電壓大於源極電壓。而高階驅動的mos管導通時源極電壓與漏極電壓（vcc）相同，所以這時柵極電壓要比vcc大4v或10v。如果在同乙個系統裡，要得到比vcc大的電壓，就要專門的公升壓電路了。
很多馬達驅動器都整合了電荷幫浦，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動mos管。
上邊說的4v或10v是常用的mos管的導通電壓，設計時當然需要有一定的餘量。而且電壓越高，導通速度越快，導通電阻也越小。現在也有導通電壓更小的mos管用在不同的領域裡，但在12v汽車電子系統裡，一般4v導通就夠用了。
mos管的驅動電路及其損失，可以參考microchip公司的an799 matching mosfet drivers to mosfets。講述得很詳細，所以不打算多寫了。
5，mos管應用電路
mos管最顯著的特性是開關特性好，所以被廣泛應用在需要電子開關的電路中，常見的如開關電源和馬達驅動，也有照明調光。
現在的mos驅動，有幾個特別的需求，
1，低壓應用
當使用5v電源，這時候如果使用傳統的圖騰柱結構，由於三極體的be有0.7v左右的壓降，導致實際最終加在gate上的電壓只有4.3v。
這時候，我們選用標稱gate電壓4.5v的mos管就存在一定的風險。
同樣的問題也發生在使用3v或者其他低壓電源的場合。
2，寬電壓應用
輸入電壓並不是乙個固定值，它會隨著時間或者其他因素而變動。這個變動導致pwm電路提供給mos管的驅動電壓是不穩定的。
為了讓mos管在高gate電壓下安全，很多mos管內建了穩壓管強行限制gate電壓的幅值。在這種情況下，當提供的驅動電壓超過穩壓管的電壓，就會引起較大的靜態功耗。
同時，如果簡單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會出現輸入電壓比較高的時候，mos管工作良好，而輸入電壓降低的時候gate電壓不足，引起導通不夠徹底，從而增加功耗。
3，雙電壓應用
在一些控制電路中，邏輯部分使用典型的5v或者3.3v數字電壓，而功率部分使用12v甚至更高的電壓。兩個電壓採用共地方式連線。
這就提出乙個要求，需要使用乙個電路，讓低壓側能夠有效的控制高壓側的mos管，同時高壓側的mos管也同樣會面對1和2中提到的問題。
在這三種情況下，圖騰柱結構無法滿足輸出要求，而很多現成的mos驅動ic，似乎也沒有包含gate電壓限制的結構。
於是我設計了乙個相對通用的電路來滿足這三種需求。
電路圖如下：
圖1 用於nmos的驅動電路
圖2 用於pmos的驅動電路
這裡我只針對nmos驅動電路做乙個簡單分析：
vl和vh分別是低端和高階的電源，兩個電壓可以是相同的，但是vl不應該超過vh。
q1和q2組成了乙個反置的圖騰柱，用來實現隔離，同時確保兩隻驅動管q3和q4不會同時導通。
r2和r3提供了pwm電壓基準，通過改變這個基準，可以讓電路工作在pwm訊號波形比較陡直的位置。
q3和q4用來提供驅動電流，由於導通的時候，q3和q4相對vh和gnd最低都只有乙個vce的壓降，這個壓降通常只有0.3v左右，大大低於0.7v的vce。
r5和r6是反饋電阻，用於對gate電壓進行取樣，取樣後的電壓通過q5對q1和q2的基極產生乙個強烈的負反饋，從而把gate電壓限制在乙個有限的數值。這個數值可以通過r5和r6來調節。
最後，r1提供了對q3和q4的基極電流限制，r4提供了對mos管的gate電流限制，也就是q3和q4的ice的限制。必要的時候可以在r4上面併聯加速電容。
這個電路提供了如下的特性：
1，用低端電壓和pwm驅動高階mos管。
2，用小幅度的pwm訊號驅動高gate電壓需求的mos管。
3，gate電壓的峰值限制
4，輸入和輸出的電流限制
5，通過使用合適的電阻，可以達到很低的功耗。
6，pwm訊號反相。nmos並不需要這個特性，可以通過前置乙個反相器來解決。
在設計可攜式裝置和無線產品時，提高產品效能、延長電池工作時間是設計人員需要面對的兩個問題。dc-dc轉換器具有效率高、輸出電流大、靜態電流小等優點，非常適用於為可攜式裝置供電。目前dc-dc轉換器設計技術發展主要趨勢有：
（1）高頻化技術：隨著開關頻率的提高，開關變換器的體積也隨之減小，功率密度也得到大幅提公升，動態響應得到改善。小功率dc-dc轉換器的開關頻率將上公升到兆赫級。
（2）低輸出電壓技術：隨著半導體製造技術的不斷發展，微處理器和可攜式電子裝置的工作電壓越來越低，這就要求未來的dc-dc變換器能夠提供低輸出電壓以適應微處理器和可攜式電子裝置的要求。
這些技術的發展對電源晶元電路的設計提出了更高的要求。首先，隨著開關頻率的不斷提高，對於開關元件的效能提出了很高的要求，同時必須具有相應的開關元件驅動電路以保證開關元件在高達兆赫級的開關頻率下正常工作。其次，對於電池供電的可攜式電子裝置來說，電路的工作電壓低（以鋰電池為例，工作電壓2.
5～3.6v），因此，電源晶元的工作電壓較低。
mos管具有很低的導通電阻，消耗能量較低，在目前流行的高效dc－dc晶元中多採用mos管作為功率開關。但是由於mos管的寄生電容大，一般情況下nmos開關管的柵極電容高達幾十皮法。這對於設計高工作頻率dc－dc轉換器開關管驅動電路的設計提出了更高的要求。
在低電壓ulsi設計中有多種cmos、bicmos採用自舉公升壓結構的邏輯電路和作為大容性負載的驅動電路。這些電路能夠在低於1v電壓供電條件下正常工作，並且能夠在負載電容1～2pf的條件下工作頻率能夠達到幾十兆甚至上百兆赫茲。本文正是採用了自舉公升壓電路，設計了一種具有大負載電容驅動能力的，適合於低電壓、高開關頻率公升壓型dc－dc轉換器的驅動電路。
電路基於samsung ahp615 bicmos工藝設計並經過hspice**驗證，在供電電壓1.5v ，負載電容為60pf時，工作頻率能夠達到5mhz以上。
自舉公升壓電路
自舉公升壓電路的原理圖如圖1所示。所謂的自舉公升壓原理就是，在輸入端in輸入乙個方波訊號，利用電容cboot將a點電壓抬公升至高於vdd的電平，這樣就可以在b端輸出乙個與輸入訊號反相，且高電平高於vdd的方波訊號。具體工作原理如下
當vin為高電平時，nmos管n1導通，pmos管p1截止，c點電位為低電平。同時n2導通，p2的柵極電位為低電平，則p2導通。這就使得此時a點電位約為vdd，電容cboot兩端電壓uc≈vdd。
由於n3導通，p4截止，所以b點的電位為低電平。這段時間稱為預充電週期。
MOS管工作原理詳細講解
詳細講解mosfet管驅動電路 mos管的作用 mos管為壓控元件,你只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導通,它的導通就像三極體在飽和狀態一樣,導通結的壓降最小.這就是常說的精典是開關作用.去掉這個控制電壓經就截止.mos管 mos管的英文全稱叫mosfet metal oxide semicon...
mos管工作原理
在一塊摻雜濃度較低的p型矽襯底上，用光刻 擴散工藝製作兩個高摻雜濃度的n 區，並用金屬鋁引出兩個電極，分別作漏極d和源極s。然後在半導體表面覆蓋一層很薄的二氧化矽 sio2 絕緣層，在漏源極間的絕緣層上再裝上乙個鋁電極 作為柵極。另外在襯底上也引出乙個電極b，這就構成了乙個n溝道增強型mos管。顯然...
MOS管工作原理解讀
在使用mos管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮mos的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但並不是優秀的，作為正式的產品設計也是不允許的。下面是我對mosfet及mosfet驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，非全部原...