1. 場效電晶體和三極體輸入電阻的差異？
答：1.場效電晶體是單極、三極體是雙極區別.
2.解決問題方面: 場效電晶體是電壓控制電流源,控制電壓和電流屬於不同的支路,因而電壓的求解一般不難,進而根據漏極電流表示式來求出電流值,然後進行模型分析,求出跨導和輸出電阻.
而三極體要先建立模型,然後進行電路分析,求解過程特別是計算很複雜,容易出錯; 總體而言,我覺得場效電晶體的分析要比三極體簡單一些.
3.三極體和場效電晶體的比較可以歸納以下幾點:
一、在三極體中,空穴和自由電子都參與導電,稱為雙極型器件,用bjt表示;而場效電晶體只有多子導電,稱為單極型器件,用fet表示.由於多子濃度不受外界溫度、光照、輻射的影響,在環境變化劇烈的條件下,選用fet比較合適. 這也就是我們通常所說的場效電晶體比較穩定的原因.
二、在放大狀態工作時,三極體發射結正偏,有基極電流,為電流控制器件,相應的輸入電阻較小,約103ω;fet在放大狀態工作時無柵極電流,為電壓控制器件,輸入電阻很大,jfet的輸入電阻大於107ω,mos管的輸入電阻大於109ω.
三、場效電晶體的源極和漏極在結構上對稱,可以互換使用(但應注意,有時廠家已將mos管的源極與襯底在管內已經短接,使用時就不能互換).對耗盡型mos管的vgs可正、可負、可為零,使用時比較靈活.三極體的集電極和發射極一般不能互換使用.
四、在低電壓小電流狀態下工作時,fet可作為壓控可變線性電阻器和導通電阻很小的無觸點電子開關.
五、mos管工藝簡單,功耗小,適合於大規模整合.三極體的增益高,非線性失真小,效能穩定.在分立元件電路和中、小規模積體電路中,三極體仍佔優勢.
六、三極體的轉移特性(ic-vbe的關係)按指數規律變化,場效電晶體的轉移特性按平方規律變化,因此場效電晶體的非線性失真比三極體的非線性失真大.
七、場效電晶體的三種基本組態電路(共源、共漏和共柵)可以對照三極體的共發、共集和共基電路,由於場效電晶體的柵極無電流,所以輸入電阻r'i≈∞.跨導gm比三極體的小乙個數量級,gm我們可以用轉移特性求導得到
4.三極體可以說是電流控制電流源的器件,而電流是通過輸入電阻的大小來體現的;但場效電晶體是電壓控制電流源的器件
5.記住四種mos管的特性曲線的方法:只需記住n溝道的emos管的曲線,它的vgs是大於0的,且曲線呈遞增趨勢．而p溝道的emos的vgs是小於0的,且呈現遞減趨勢．dmos的vgs既有大於0的部分,又有小於0的部分,按照n溝道遞增,p溝道遞減的曲線特徵就可以將dmos的特性曲線記住了 6.
1)場效電晶體是電壓控制項,而**管是電流控制項; 2)場效電晶體是利用多數載流子導電,所以稱為單極性器件,而**管既有多子,也有少子導電,稱之為雙極性器件; 3)場效電晶體靈活性比**管好; 4)場效電晶體的製造工藝更適合於積體電路
2．mos管用途？
現有的很多小訊號放大電路都是由電晶體或mos管的放大電路構成，其功率有限，不能把電路的功率做得很大。隨著現代逆變技術的逐步成熟，尤其是spwm逆變技術，使訊號波形能夠很好地在輸出端重現，並且可以做到高電壓，大電流，大功率。spwm技術的實現方法有兩種，一種是採用模擬積體電路完成正弦調製波與三角波載波的比較，產生spwm訊號；另一種是採用數字方法。
隨著應用的深入和整合技術的發展，已商品化的專用積體電路（asic）和專用微控制器（8x196/mc/md/mh）以及dsp，可以使控制電路結構簡化，整合度高。由於數字晶元一般**比較高，所以在此採用模擬積體電路。主電路採用全橋逆變結構，spwm波的產生採用uc3637雙pwm控制晶元，並採用美國ir公司推出的高壓浮動驅動整合模組ir2110，從而減小了裝置的體積，降低了成本，提高了系統的可靠性。
經本電路放大後，訊號可達3kv，並保持了良好的輸出波形。
三極體與mos管總結
1.場效電晶體和三極體輸入電阻的差異？答 1.場效電晶體是單極三極體是雙極區別之外.2.解決問題方面 場效電晶體是電壓控制電流源,控制電壓和電流屬於不同的支路,因而電壓的求解一般不難,進而根據漏極電流表示式來求出電流值,然後進行模型分析,求出跨導和輸出電阻.而三極體要先建立模型,然後進行電路分析,求...
三極體和MOS管做開關用時的區別
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1.三極體用電流控制，mos管屬於電壓控制.2 成本問題 三極體便宜，mos管貴。3 功耗問題 三極體損耗大。4 驅動能力 mos管常用來電源開關，以及大電流地方開關電路 實際上就是三極體比較便宜，用起來方便，常用在數位電路開關控制 mos管用於高頻高速電路，大電流場合，以及對基極或漏極控制電流比較...